НОК трех чисел

Заряд инверсионного слоя в условиях отсечки в PMOS Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

Улучшение P-канала Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.ⓘ Оксид Емкость [C_ox]			+10% -10%
✖Напряжение между затвором и истоком полевого транзистора (FET) известно как напряжение затвор-исток (VGS). Это важный параметр, влияющий на работу полевого транзистора.ⓘ Напряжение между затвором и источником [V_GS]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.ⓘ Пороговое напряжение [V_T]			+10% -10%
✖Напряжение между стоком и истоком является ключевым параметром в работе полевого транзистора (FET) и часто упоминается как «напряжение сток-исток» или VDS.ⓘ Напряжение между стоком и истоком [V_DS]			+10% -10%

✖Заряд инверсионного слоя относится к накоплению носителей заряда на границе между полупроводником и изолирующим оксидным слоем, когда на электрод затвора подается напряжение.ⓘ Заряд инверсионного слоя в условиях отсечки в PMOS [Q_p]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Заряд инверсионного слоя в условиях отсечки в PMOS Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение-Напряжение между стоком и истоком)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS)
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Заряд инверсионного слоя - (Измеряется в Кулон на квадратный метр) - Заряд инверсионного слоя относится к накоплению носителей заряда на границе между полупроводником и изолирующим оксидным слоем, когда на электрод затвора подается напряжение.
Оксид Емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.
Напряжение между затвором и источником - (Измеряется в вольт) - Напряжение между затвором и истоком полевого транзистора (FET) известно как напряжение затвор-исток (VGS). Это важный параметр, влияющий на работу полевого транзистора.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.
Напряжение между стоком и истоком - (Измеряется в вольт) - Напряжение между стоком и истоком является ключевым параметром в работе полевого транзистора (FET) и часто упоминается как «напряжение сток-исток» или VDS.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Оксид Емкость: 0.0008 фарада --> 0.0008 фарада Конверсия не требуется
Напряжение между затвором и источником: 2.86 вольт --> 2.86 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 0.7 вольт --> 0.7 вольт Конверсия не требуется
Напряжение между стоком и истоком: 2.45 вольт --> 2.45 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS) --> -0.0008*(2.86-0.7-2.45)

Оценка ... ...

Q_p = 0.000232

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.000232 Кулон на квадратный метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.000232 Кулон на квадратный метр <-- Заряд инверсионного слоя

(Расчет завершен через 00.021 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Улучшение P-канала » Заряд инверсионного слоя в условиях отсечки в PMOS

Кредиты

Сделано Аман Дуссават

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ГУРУ ТЕХ БАХАДУР (ГТБИТ), НЬЮ-ДЕЛИ

Аман Дуссават создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< Улучшение P-канала Калькуляторы

Ток стока в области триода PMOS-транзистора

LaTeX Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*((Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))*Напряжение между стоком и истоком-1/2*(Напряжение между стоком и истоком)^2)

Ток стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd

LaTeX Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(modulus(Эффективное напряжение)-1/2*Напряжение между стоком и истоком)*Напряжение между стоком и истоком

Ток стока в области насыщения транзистора PMOS

LaTeX Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2

Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

LaTeX Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение)^2

Узнать больше >>

Заряд инверсионного слоя в условиях отсечки в PMOS формула

LaTeX Идти

Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение-Напряжение между стоком и истоком)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS)

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!