✖Параметр крутизны представляет собой произведение параметра крутизны процесса и соотношения сторон транзистора (W/L).ⓘ Параметр крутизны [Kn] | | | +10% -10% |
✖Напряжение на оксиде обусловлено зарядом на границе раздела оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.ⓘ Напряжение на оксиде [Vox] | | | +10% -10% |
✖Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.ⓘ Пороговое напряжение [Vt] | | | +10% -10% |
✖Напряжение между затвором и истоком — это напряжение, которое падает на вывод затвор-исток транзистора.ⓘ Напряжение между затвором и истоком [Vgs] | | | +10% -10% |