Используемая формула
Общая примесь = Эффективное распространение*(Зона базового соединения эмиттера*((Заряжать*Внутренняя концентрация^2)/Коллекторный ток)*exp(Базовый эмиттер напряжения/Тепловое напряжение))Qb = Dn*(A*((q*ni^2)/Ic)*exp(Vbe/Vt))В этой формуле используются
1 Функции,
8 Переменные Используемые функции
exp - В показательной функции значение функции изменяется на постоянный множитель при каждом единичном изменении независимой переменной., exp(Number)
Используемые переменные
Общая примесь -
(Измеряется в Квадратный метр) - Общая примесь определяет примеси, которые смешиваются по атому на единицу площади в основе, или количество примеси, добавленной к собственному полупроводнику, изменяет его уровень проводимости.
Эффективное распространение - Эффективная диффузия — это параметр, связанный с процессом диффузии носителей, на который влияют свойства материала и геометрия полупроводникового перехода.
Зона базового соединения эмиттера -
(Измеряется в Квадратный метр) - Область эмиттерного базового перехода представляет собой PN-переход, образованный между сильно легированным материалом P-типа (эмиттер) и слаболегированным материалом N-типа (база) транзистора.
Заряжать -
(Измеряется в Кулон) - Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.
Внутренняя концентрация -
(Измеряется в 1 на кубический метр) - Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
Коллекторный ток -
(Измеряется в Ампер) - Коллекторный ток — это ток, который протекает через коллекторный вывод транзистора и который усиливается транзистором.
Базовый эмиттер напряжения -
(Измеряется в вольт) - Напряжение базы-эмиттера — это напряжение между базой и эмиттером при прямом смещении и отключенном коллекторе.
Тепловое напряжение -
(Измеряется в вольт) - Тепловое напряжение — это напряжение, создаваемое соединением разнородных металлов, когда между этими соединениями существует разница температур.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок