НОД трех чисел

Примеси с собственной концентрацией Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Интегральные схемы (ИС)EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Изготовление биполярных ИС Изготовление МОП-ИС Триггер Шмитта

✖На концентрацию электронов влияют различные факторы, такие как температура, примеси или легирующие примеси, добавленные в полупроводниковый материал, а также внешние электрические или магнитные поля.ⓘ Электронная концентрация [n_e]			+10% -10%
✖Концентрация дырок предполагает большее количество доступных носителей заряда в материале, что влияет на его проводимость и различные полупроводниковые устройства.ⓘ Концентрация дырок [p]			+10% -10%
✖Температурная загрязненность — базовый индекс, представляющий среднюю температуру воздуха в разные периоды времени.ⓘ Температурная примесь [t_o]			+10% -10%

✖Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.ⓘ Примеси с собственной концентрацией [n_i]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Интегральные схемы (ИС) формула PDF PDF Image

Примеси с собственной концентрацией Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)
В этой формуле используются 1 Функции, 4 Переменные

Используемые функции

sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Внутренняя концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
Электронная концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - На концентрацию электронов влияют различные факторы, такие как температура, примеси или легирующие примеси, добавленные в полупроводниковый материал, а также внешние электрические или магнитные поля.
Концентрация дырок - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация дырок предполагает большее количество доступных носителей заряда в материале, что влияет на его проводимость и различные полупроводниковые устройства.
Температурная примесь - (Измеряется в Кельвин) - Температурная загрязненность — базовый индекс, представляющий среднюю температуру воздуха в разные периоды времени.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Электронная концентрация: 50.6 1 на кубический сантиметр --> 50600000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Концентрация дырок: 0.69 1 на кубический сантиметр --> 690000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Температурная примесь: 20 Кельвин --> 20 Кельвин Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

n_i = sqrt((n_e*p)/t_o) --> sqrt((50600000*690000)/20)

Оценка ... ...

n_i = 1321249.40870375

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1321249.40870375 1 на кубический метр -->1.32124940870375 1 на кубический сантиметр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.32124940870375 ≈ 1.321249 1 на кубический сантиметр <-- Внутренняя концентрация

(Расчет завершен через 00.021 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Примеси с собственной концентрацией

Кредиты

Сделано Рахул Гупта

Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб

Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Проводимость N-типа

LaTeX Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Омическая проводимость примесей

LaTeX Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Примеси с собственной концентрацией

LaTeX Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

LaTeX Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Узнать больше >>