В модели с номинальной температурой T линии передачи предполагается, что вся шунтирующая емкость линии сосредоточена в середине линии. Предполагается, что половина сопротивления линии и реактивного сопротивления находится по обе стороны от шунтирующей емкости. Благодаря такому моделированию линии емкостной зарядный ток протекает через половину линии передачи.