✖Время выключения емкости затвора истока FET относится к времени, необходимому для разрядки емкости затвор-исток, что является критическим параметром для управления скоростью переключения и энергоэффективностью.ⓘ Емкость источника затвора Время выключения FET [Tgs-off(fet)] | | | +10% -10% |
✖Полевой транзистор с поверхностным потенциалом работает на основе поверхностного потенциала полупроводникового канала, управляя потоком тока через напряжение затвора без создания инверсионных слоев.ⓘ Поверхностный потенциал FET [Ψ0(fet)] | | | +10% -10% |