НОК двух чисел

Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Интегральные схемы (ИС)EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Изготовление биполярных ИС Изготовление МОП-ИС Триггер Шмитта

✖Ширина транзистора относится к ширине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.ⓘ Ширина транзистора [W_t]			+10% -10%
✖Длина транзистора относится к длине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.ⓘ Длина транзистора [L_t]			+10% -10%
✖Оксидная емкость относится к емкости, связанной с изолирующим оксидным слоем в структуре металл-оксид-полупроводник (МОП), например, в МОП-транзисторах.ⓘ Оксидная емкость [C_ox]			+10% -10%
✖Емкость перекрытия — это паразитная емкость, возникающая из-за физического перекрытия между областями затвора и истока/стока.ⓘ Емкость перекрытия [C_ov]			+10% -10%

✖Емкость источника затвора относится к емкости между клеммами затвора и истока полевого транзистора (FET).ⓘ Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия [C_gs]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Интегральные схемы (ИС) формула PDF PDF Image

Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Емкость источника затвора = (2/3*Ширина транзистора*Длина транзистора*Оксидная емкость)+(Ширина транзистора*Емкость перекрытия)
C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov)
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Емкость источника затвора - (Измеряется в фарада) - Емкость источника затвора относится к емкости между клеммами затвора и истока полевого транзистора (FET).
Ширина транзистора - (Измеряется в Метр) - Ширина транзистора относится к ширине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.
Длина транзистора - (Измеряется в Метр) - Длина транзистора относится к длине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.
Оксидная емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость относится к емкости, связанной с изолирующим оксидным слоем в структуре металл-оксид-полупроводник (МОП), например, в МОП-транзисторах.
Емкость перекрытия - (Измеряется в фарада) - Емкость перекрытия — это паразитная емкость, возникающая из-за физического перекрытия между областями затвора и истока/стока.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Ширина транзистора: 5.5 микрометр --> 5.5E-06 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Длина транзистора: 3.2 микрометр --> 3.2E-06 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Оксидная емкость: 3.9 фарада --> 3.9 фарада Конверсия не требуется
Емкость перекрытия: 2.5 фарада --> 2.5 фарада Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov) --> (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5)

Оценка ... ...

C_gs = 1.375004576E-05

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.375004576E-05 фарада -->13.75004576 Микрофарад (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

13.75004576 ≈ 13.75005 Микрофарад <-- Емкость источника затвора

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Проводимость N-типа

LaTeX Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Омическая проводимость примесей

LaTeX Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Примеси с собственной концентрацией

LaTeX Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

LaTeX Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Узнать больше >>