калькулятор НОК

Параметры процесса изготовления NMOS Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

Улучшение N-канала Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Концентрация легирования подложки P представляет собой количество примесей, добавленных к подложке. Это общая концентрация акцепторных ионов.ⓘ Концентрация легирования субстрата P [N_P]			+10% -10%
✖Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.ⓘ Оксид Емкость [C_ox]			+10% -10%

✖Параметром процесса изготовления является процесс, который начинается с окисления кремниевой подложки, при котором на поверхность осаждается относительно толстый оксидный слой.ⓘ Параметры процесса изготовления NMOS [γ]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Параметры процесса изготовления NMOS Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Параметр процесса изготовления = sqrt(2*[Charge-e]*Концентрация легирования субстрата P*[Permitivity-vacuum])/Оксид Емкость
γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox
В этой формуле используются 2 Константы, 1 Функции, 3 Переменные

Используемые константы

[Permitivity-vacuum] - Диэлектрическая проницаемость вакуума Значение, принятое как 8.85E-12
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые функции

sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Параметр процесса изготовления - Параметром процесса изготовления является процесс, который начинается с окисления кремниевой подложки, при котором на поверхность осаждается относительно толстый оксидный слой.
Концентрация легирования субстрата P - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация легирования подложки P представляет собой количество примесей, добавленных к подложке. Это общая концентрация акцепторных ионов.
Оксид Емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Концентрация легирования субстрата P: 6E+16 1 на кубический сантиметр --> 6E+22 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Оксид Емкость: 2.02 Микрофарад --> 2.02E-06 фарада (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox --> sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06

Оценка ... ...

γ = 204.204864690003

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

204.204864690003 --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

204.204864690003 ≈ 204.2049 <-- Параметр процесса изготовления

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Улучшение N-канала » Параметры процесса изготовления NMOS

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< Улучшение N-канала Калькуляторы

Ток, поступающий в сток-источник в области триода NMOS

LaTeX Идти Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*((Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Напряжение источника стока-1/2*(Напряжение источника стока)^2)

Ток, поступающий на клемму стока NMOS, при заданном напряжении источника затвора

LaTeX Идти Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*((Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Напряжение источника стока-1/2*Напряжение источника стока^2)

NMOS как линейное сопротивление

LaTeX Идти Линейное сопротивление = Длина канала/(Подвижность электронов на поверхности канала*Оксид Емкость*Ширина канала*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение))

Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS

LaTeX Идти Скорость дрейфа электронов = Подвижность электронов на поверхности канала*Электрическое поле по длине канала

Узнать больше >>