Эквивалентная толщина оксида Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика физика финансовый Химия

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Технология производства Химическая инженерия Электрические Электроника и приборы

⤿

Интегральные схемы (ИС)EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Антенна и распространение волн Беспроводная связь Волоконно-оптическая передача Встроенная система Изготовление СБИС Конструкция оптического волокна Линия передачи и антенна Оптоэлектронные устройства Проектирование и применение КМОП Радиолокационная система РФ Микроэлектроника Сигнал и системы Силовая электроника Система контроля Системы коммутации телекоммуникаций Спутниковая связь Твердотельные устройства Телевизионная инженерия Теория информации и кодирование Теория СВЧ Теория электромагнитного поля Усилители Цифровая обработка изображений Цифровая связь

⤿

Изготовление МОП-ИС Изготовление биполярных ИС Триггер Шмитта

✖Толщина материала — это толщина данного материала. Это относится к физическому размеру объекта, измеренному перпендикулярно его поверхности.ⓘ Толщина материала [t_high-k]			+10% -10%
✖Диэлектрическая проницаемость материала — это мера способности материала сохранять электрическую энергию в электрическом поле.ⓘ Диэлектрическая проницаемость материала [k_high-k]			+10% -10%

✖Эквивалентная толщина оксида — это мера, используемая в полупроводниковой технологии для характеристики изолирующих свойств диэлектрика затвора в устройстве металл-оксид-полупроводник (МОП).ⓘ Эквивалентная толщина оксида [EOT]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Эквивалентная толщина оксида

Формула

EOT = t high-k \cdot (\frac{3.9}{k high-k})

Пример

14.66814 nm = 8.5 nm \cdot (\frac{3.9}{2.26})

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Эквивалентная толщина оксида Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Эквивалентная толщина оксида = Толщина материала*(3.9/Диэлектрическая проницаемость материала)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Эквивалентная толщина оксида - (Измеряется в Метр) - Эквивалентная толщина оксида — это мера, используемая в полупроводниковой технологии для характеристики изолирующих свойств диэлектрика затвора в устройстве металл-оксид-полупроводник (МОП).
Толщина материала - (Измеряется в Метр) - Толщина материала — это толщина данного материала. Это относится к физическому размеру объекта, измеренному перпендикулярно его поверхности.
Диэлектрическая проницаемость материала - Диэлектрическая проницаемость материала — это мера способности материала сохранять электрическую энергию в электрическом поле.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Толщина материала: 8.5 нанометр --> 8.5E-09 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Диэлектрическая проницаемость материала: 2.26 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)

Оценка ... ...

EOT = 1.46681415929204E-08

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.46681415929204E-08 Метр -->14.6681415929204 нанометр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

14.6681415929204 ≈ 14.66814 нанометр <-- Эквивалентная толщина оксида

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Эквивалентная толщина оксида

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 5 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Эффект тела в MOSFET

Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Ток стока MOSFET в области насыщения

Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Время распространения

Идти Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки

Сопротивление канала

Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)