Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
Процентная ошибка
Вычесть дробь
НОК трех чисел
Эквивалентная толщина оксида Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
физика
финансовый
Химия
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Технология производства
Химическая инженерия
Электрические
Электроника и приборы
⤿
Интегральные схемы (ИС)
EDC
Аналоговая связь
Аналоговая электроника
Антенна
Беспроводная связь
Волоконно-оптическая передача
Встроенная система
Изготовление СБИС
Конструкция оптического волокна
Линия передачи и антенна
Оптоэлектронные устройства
Проектирование и применение КМОП
Радиолокационная система
РФ Микроэлектроника
Сигнал и системы
Силовая электроника
Система контроля
Системы коммутации телекоммуникаций
Спутниковая связь
Твердотельные устройства
Телевизионная инженерия
Теория информации и кодирование
Теория СВЧ
Теория электромагнитного поля
Усилители
Цифровая обработка изображений
Цифровая связь
⤿
Изготовление МОП-ИС
Изготовление биполярных ИС
Триггер Шмитта
✖
Толщина материала — это толщина данного материала. Это относится к физическому размеру объекта, измеренному перпендикулярно его поверхности.
ⓘ
Толщина материала [t
high-k
]
створа
Ангстрем
арпан
астрономическая единица
Аттометр
AU длины
Ячменное зерно
Миллиардный свет
Бор Радиус
Кабель (международный)
Кабель (UK)
Кабель (США)
калибр
сантиметр
цепь
Cubit (греческий)
Кубит (Длинный)
Cubit (Великобритания)
Декаметр
Дециметр
Земля Расстояние от Луны
Земля Расстояние от Солнца
Экваториальный радиус Земли
Полярный радиус Земли
Радиус электрона (классическая)
флигель
Экзаметр
Famn
Вникать
Femtometer
Ферми
Палец (ткань)
ширина пальца
Фут
Foot (служба США)
Фарлонг
Гигаметр
Рука
Ладонь
гектометр
дюйм
кругозор
километр
килопарсек
килоярд
лига
Лига (Статут)
Световой год
Ссылка
Мегаметр
Мегапарсек
метр
микродюйм
микрометр
микрон
мил
мили
Миля (Роман)
Миля (служба США)
Миллиметр
Миллион светлого года
Nail (ткань)
нанометр
Морская лига (международная)
Морская лига Великобритании
Морская миля (Международный)
Морская миля (Великобритания)
парсек
Окунь
петаметр
цицеро
пикометра
Планка Длина
Точка
полюс
квартал
Рид
Рид (длинный)
прут
Роман Actus
канатный
русский Арчин
Span (ткань)
Солнечный радиус
Тераметр
Твип
Vara Кастеллана
Vara Conuquera
Vara De Фаарея
Двор
Йоктометр
Йоттаметр
Зептометр
Зеттаметр
+10%
-10%
✖
Диэлектрическая проницаемость материала — это мера способности материала сохранять электрическую энергию в электрическом поле.
ⓘ
Диэлектрическая проницаемость материала [k
high-k
]
+10%
-10%
✖
Эквивалентная толщина оксида — это мера, используемая в полупроводниковой технологии для характеристики изолирующих свойств диэлектрика затвора в устройстве металл-оксид-полупроводник (МОП).
ⓘ
Эквивалентная толщина оксида [EOT]
створа
Ангстрем
арпан
астрономическая единица
Аттометр
AU длины
Ячменное зерно
Миллиардный свет
Бор Радиус
Кабель (международный)
Кабель (UK)
Кабель (США)
калибр
сантиметр
цепь
Cubit (греческий)
Кубит (Длинный)
Cubit (Великобритания)
Декаметр
Дециметр
Земля Расстояние от Луны
Земля Расстояние от Солнца
Экваториальный радиус Земли
Полярный радиус Земли
Радиус электрона (классическая)
флигель
Экзаметр
Famn
Вникать
Femtometer
Ферми
Палец (ткань)
ширина пальца
Фут
Foot (служба США)
Фарлонг
Гигаметр
Рука
Ладонь
гектометр
дюйм
кругозор
километр
килопарсек
килоярд
лига
Лига (Статут)
Световой год
Ссылка
Мегаметр
Мегапарсек
метр
микродюйм
микрометр
микрон
мил
мили
Миля (Роман)
Миля (служба США)
Миллиметр
Миллион светлого года
Nail (ткань)
нанометр
Морская лига (международная)
Морская лига Великобритании
Морская миля (Международный)
Морская миля (Великобритания)
парсек
Окунь
петаметр
цицеро
пикометра
Планка Длина
Точка
полюс
квартал
Рид
Рид (длинный)
прут
Роман Actus
канатный
русский Арчин
Span (ткань)
Солнечный радиус
Тераметр
Твип
Vara Кастеллана
Vara Conuquera
Vara De Фаарея
Двор
Йоктометр
Йоттаметр
Зептометр
Зеттаметр
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
✖
Эквивалентная толщина оксида
Формула
`"EOT" = "t"_{"high-k"}*(3.9/"k"_{"high-k"})`
Пример
`"14.66814nm"="8.5nm"*(3.9/"2.26")`
Калькулятор
LaTeX
сбросить
👍
Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF
Эквивалентная толщина оксида Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Эквивалентная толщина оксида
=
Толщина материала
*(3.9/
Диэлектрическая проницаемость материала
)
EOT
=
t
high-k
*(3.9/
k
high-k
)
В этой формуле используются
3
Переменные
Используемые переменные
Эквивалентная толщина оксида
-
(Измеряется в метр)
- Эквивалентная толщина оксида — это мера, используемая в полупроводниковой технологии для характеристики изолирующих свойств диэлектрика затвора в устройстве металл-оксид-полупроводник (МОП).
Толщина материала
-
(Измеряется в метр)
- Толщина материала — это толщина данного материала. Это относится к физическому размеру объекта, измеренному перпендикулярно его поверхности.
Диэлектрическая проницаемость материала
- Диэлектрическая проницаемость материала — это мера способности материала сохранять электрическую энергию в электрическом поле.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Толщина материала:
8.5 нанометр --> 8.5E-09 метр
(Проверьте преобразование
здесь
)
Диэлектрическая проницаемость материала:
2.26 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
EOT = t
high-k
*(3.9/k
high-k
) -->
8.5E-09*(3.9/2.26)
Оценка ... ...
EOT
= 1.46681415929204E-08
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
1.46681415929204E-08 метр -->14.6681415929204 нанометр
(Проверьте преобразование
здесь
)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
14.6681415929204
≈
14.66814 нанометр
<--
Эквивалентная толщина оксида
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
Интегральные схемы (ИС)
»
Изготовление МОП-ИС
»
Эквивалентная толщина оксида
Кредиты
Сделано
банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар
(ДСКЭ)
,
Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Проверено
Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара
(ДСКЭ)
,
Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
15 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы
Напряжение точки переключения
Идти
Напряжение точки переключения
= (
Напряжение питания
+
Пороговое напряжение PMOS
+
Пороговое напряжение NMOS
*
sqrt
(
Коэффициент усиления NMOS-транзистора
/
Коэффициент усиления PMOS-транзистора
))/(1+
sqrt
(
Коэффициент усиления NMOS-транзистора
/
Коэффициент усиления PMOS-транзистора
))
Эффект тела в MOSFET
Идти
Пороговое напряжение с подложкой
=
Пороговое напряжение с нулевым смещением тела
+
Параметр эффекта тела
*(
sqrt
(2*
Объемный потенциал Ферми
+
Напряжение, приложенное к телу
)-
sqrt
(2*
Объемный потенциал Ферми
))
Концентрация донорской легирующей примеси
Идти
Концентрация донорской легирующей примеси
= (
Ток насыщения
*
Длина транзистора
)/(
[Charge-e]
*
Ширина транзистора
*
Электронная подвижность
*
Емкость слоя обеднения
)
Ток стока MOSFET в области насыщения
Идти
Ток стока
=
Параметр крутизны
/2*(
Напряжение источника затвора
-
Пороговое напряжение с нулевым смещением тела
)^2*(1+
Коэффициент модуляции длины канала
*
Напряжение источника стока
)
Концентрация акцепторной примеси
Идти
Концентрация акцепторной примеси
= 1/(2*
pi
*
Длина транзистора
*
Ширина транзистора
*
[Charge-e]
*
Мобильность отверстий
*
Емкость слоя обеднения
)
Максимальная концентрация легирующей примеси
Идти
Максимальная концентрация легирующей примеси
=
Эталонная концентрация
*
exp
(-
Энергия активации твердой растворимости
/(
[BoltZ]
*
Абсолютная температура
))
Время распространения
Идти
Время распространения
= 0.7*
Количество проходных транзисторов
*((
Количество проходных транзисторов
+1)/2)*
Сопротивление в МОП-транзисторе
*
Емкость нагрузки
Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами
Идти
Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами
=
[Charge-e]
*
Электронная концентрация
*
Электронная подвижность
*
Напряженность электрического поля
Плотность дрейфового тока из-за дырок
Идти
Плотность дрейфового тока из-за дырок
=
[Charge-e]
*
Концентрация дырок
*
Мобильность отверстий
*
Напряженность электрического поля
Сопротивление канала
Идти
Сопротивление канала
=
Длина транзистора
/
Ширина транзистора
*1/(
Электронная подвижность
*
Плотность носителей
)
Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления
Идти
Частота единичного усиления в MOSFET
=
Крутизна МОП-транзистора
/(
Емкость источника затвора
+
Емкость стока затвора
)
Критическое измерение
Идти
Критическое измерение
=
Зависимая от процесса константа
*
Длина волны в фотолитографии
/
Числовая апертура
Глубина фокуса
Идти
Глубина фокуса
=
Коэффициент пропорциональности
*
Длина волны в фотолитографии
/(
Числовая апертура
^2)
Умереть на пластину
Идти
Умереть на пластину
= (
pi
*
Диаметр пластины
^2)/(4*
Размер каждой матрицы
)
Эквивалентная толщина оксида
Идти
Эквивалентная толщина оксида
=
Толщина материала
*(3.9/
Диэлектрическая проницаемость материала
)
Эквивалентная толщина оксида формула
Эквивалентная толщина оксида
=
Толщина материала
*(3.9/
Диэлектрическая проницаемость материала
)
EOT
=
t
high-k
*(3.9/
k
high-k
)
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!