Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
Процент выигрыша
Cмешанная дробь
НОК двух чисел
Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
Больше >>
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Больше >>
⤿
Интегральные схемы (ИС)
EDC
Аналоговая связь
Аналоговая электроника
Больше >>
⤿
Изготовление биполярных ИС
Изготовление МОП-ИС
Триггер Шмитта
✖
Легирование на N-стороне относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область N-типа полупроводникового устройства.
ⓘ
Допинг на N-стороне [N
dn
]
1 на кубический сантиметр
1 на кубический метр
+10%
-10%
✖
Легирование на стороне P относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область P-типа полупроводникового устройства.
ⓘ
Допинг на стороне P [N
dp
]
1 на кубический сантиметр
1 на кубический метр
+10%
-10%
✖
Эффективность инжекции эмиттера — это отношение электронного тока, протекающего в эмиттере, к общему току через базовый переход эмиттера.
ⓘ
Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования [γ]
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
✖
Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования
Формула
γ
=
N
dn
N
dn
+
N
dp
Пример
0.727273
=
4.8 /cm³
4.8 /cm³
+
1.8 /cm³
Калькулятор
LaTeX
сбросить
👍
Скачать Интегральные схемы (ИС) формула PDF
Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Эффективность ввода эмиттера
=
Допинг на N-стороне
/(
Допинг на N-стороне
+
Допинг на стороне P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
В этой формуле используются
3
Переменные
Используемые переменные
Эффективность ввода эмиттера
- Эффективность инжекции эмиттера — это отношение электронного тока, протекающего в эмиттере, к общему току через базовый переход эмиттера.
Допинг на N-стороне
-
(Измеряется в 1 на кубический метр)
- Легирование на N-стороне относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область N-типа полупроводникового устройства.
Допинг на стороне P
-
(Измеряется в 1 на кубический метр)
- Легирование на стороне P относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область P-типа полупроводникового устройства.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Допинг на N-стороне:
4.8 1 на кубический сантиметр --> 4800000 1 на кубический метр
(Проверьте преобразование
здесь
)
Допинг на стороне P:
1.8 1 на кубический сантиметр --> 1800000 1 на кубический метр
(Проверьте преобразование
здесь
)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
γ = N
dn
/(N
dn
+N
dp
) -->
4800000/(4800000+1800000)
Оценка ... ...
γ
= 0.727272727272727
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.727272727272727 --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.727272727272727
≈
0.727273
<--
Эффективность ввода эмиттера
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
Интегральные схемы (ИС)
»
Изготовление биполярных ИС
»
Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования
Кредиты
Сделано
банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар
(ДСКЭ)
,
Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Проверено
Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара
(ДСКЭ)
,
Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
Изготовление биполярных ИС Калькуляторы
Проводимость N-типа
Идти
Омическая проводимость
=
Заряжать
*(
Электронно-легированная подвижность кремния
*
Равновесная концентрация N-типа
+
Подвижность кремния, легированного дырками
*(
Внутренняя концентрация
^2/
Равновесная концентрация N-типа
))
Омическая проводимость примесей
Идти
Омическая проводимость
=
Заряжать
*(
Электронно-легированная подвижность кремния
*
Электронная концентрация
+
Подвижность кремния, легированного дырками
*
Концентрация дырок
)
Примеси с собственной концентрацией
Идти
Внутренняя концентрация
=
sqrt
((
Электронная концентрация
*
Концентрация дырок
)/
Температурная примесь
)
Напряжение пробоя коллектора-эмиттера
Идти
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
=
Напряжение пробоя базы коллектора
/(
Текущий прирост BJT
)^(1/
Корневой номер
)
Узнать больше >>
Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования формула
Эффективность ввода эмиттера
=
Допинг на N-стороне
/(
Допинг на N-стороне
+
Допинг на стороне P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!