НОК двух чисел

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Интегральные схемы (ИС)EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Изготовление биполярных ИС Изготовление МОП-ИС Триггер Шмитта

✖Легирование на N-стороне относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область N-типа полупроводникового устройства.ⓘ Допинг на N-стороне [N_dn]			+10% -10%
✖Легирование на стороне P относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область P-типа полупроводникового устройства.ⓘ Допинг на стороне P [N_dp]			+10% -10%

✖Эффективность инжекции эмиттера — это отношение электронного тока, протекающего в эмиттере, к общему току через базовый переход эмиттера.ⓘ Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования [γ]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования

Формула

γ = \frac{N dn}{N dn + N dp}

Пример

0.727273 = \frac{4.8 /cm³}{4.8 /cm³ + 1.8 /cm³}

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Интегральные схемы (ИС) формула PDF PDF Image

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Эффективность ввода эмиттера = Допинг на N-стороне/(Допинг на N-стороне+Допинг на стороне P)
γ = N_dn/(N_dn+N_dp)
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Эффективность ввода эмиттера - Эффективность инжекции эмиттера — это отношение электронного тока, протекающего в эмиттере, к общему току через базовый переход эмиттера.
Допинг на N-стороне - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Легирование на N-стороне относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область N-типа полупроводникового устройства.
Допинг на стороне P - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Легирование на стороне P относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область P-типа полупроводникового устройства.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Допинг на N-стороне: 4.8 1 на кубический сантиметр --> 4800000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Допинг на стороне P: 1.8 1 на кубический сантиметр --> 1800000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

γ = N_dn/(N_dn+N_dp) --> 4800000/(4800000+1800000)

Оценка ... ...

γ = 0.727272727272727

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.727272727272727 --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Эффективность ввода эмиттера

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Проводимость N-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Омическая проводимость примесей

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Примеси с собственной концентрацией

Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Узнать больше >>