Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Ток эмиттера = Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(-Тепловая равновесная концентрация/Ширина базового соединения)
Ie = AE*[Charge-e]*Dn*(-npo/Wbase)
В этой формуле используются 1 Константы, 5 Переменные
Используемые константы
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые переменные
Ток эмиттера - (Измеряется в Ампер) - Ток эмиттера — это усиленный выходной ток биполярного транзистора.
Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер - (Измеряется в Квадратный метр) - Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер равна ширине в направлении, перпендикулярном странице.
Электронная диффузия - (Измеряется в Квадратный метр в секунду) - Электронная диффузия — это диффузионный ток — это ток в полупроводнике, вызванный диффузией носителей заряда (дырок и/или электронов).
Тепловая равновесная концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация теплового равновесия определяется как концентрация носителей в усилителе.
Ширина базового соединения - (Измеряется в Метр) - Ширина базового перехода — это параметр, указывающий ширину базового перехода любого элемента аналоговой электроники.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер: 8 Площадь Сантиметр --> 0.0008 Квадратный метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Электронная диффузия: 0.8 Квадратный сантиметр в секунду --> 8E-05 Квадратный метр в секунду (Проверьте преобразование ​здесь)
Тепловая равновесная концентрация: 1E+18 1 на кубический метр --> 1E+18 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Ширина базового соединения: 0.002 Метр --> 0.002 Метр Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Ie = AE*[Charge-e]*Dn*(-npo/Wbase) --> 0.0008*[Charge-e]*8E-05*(-1E+18/0.002)
Оценка ... ...
Ie = -5.126965184E-06
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
-5.126965184E-06 Ампер -->-0.005126965184 Миллиампер (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
-0.005126965184 -0.005127 Миллиампер <-- Ток эмиттера
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

Ток эмиттера Калькуляторы

Ток эмиттера с использованием коэффициента усиления по току общего эмиттера
​ LaTeX ​ Идти Ток эмиттера = ((Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*Ток насыщения*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей
​ LaTeX ​ Идти Ток эмиттера = Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(-Тепловая равновесная концентрация/Ширина базового соединения)
Ток эмиттера с использованием постоянной транзистора
​ LaTeX ​ Идти Ток эмиттера = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общей базой)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
Ток эмиттера с использованием тока коллектора и коэффициента усиления по току
​ LaTeX ​ Идти Ток эмиттера = ((Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*Коллекторный ток

Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей формула

​LaTeX ​Идти
Ток эмиттера = Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(-Тепловая равновесная концентрация/Ширина базового соединения)
Ie = AE*[Charge-e]*Dn*(-npo/Wbase)

К чему приводит отрицательный наклон неосновных носителей заряда?

Отрицательный наклон концентрации неосновных носителей приводит к отрицательному току I

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!