✖Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.ⓘ Ток насыщения [Isat] | | | +10% -10% |
✖Коэффициент усиления по току с общей базой α связан с коэффициентом усиления по току β с общим эмиттером, и его значение меньше 1, поскольку ток коллектора всегда меньше тока эмиттера из-за рекомбинации электронов.ⓘ Коэффициент усиления по току с общей базой [α] | | | +10% -10% |
✖Напряжение база-эмиттер — это прямое напряжение между базой и эмиттером транзистора.ⓘ Напряжение база-эмиттер [VBE] | | | +10% -10% |
✖Тепловое напряжение — это напряжение, возникающее внутри p-n-перехода.ⓘ Тепловое напряжение [Vt] | | | +10% -10% |