НОД трех чисел

Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

Улучшение N-канала Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Подвижность электронов на поверхности канала относится к способности электронов перемещаться или проводить ток в поверхностном слое материала под действием электрического поля.ⓘ Подвижность электронов на поверхности канала [μ_n]			+10% -10%
✖Электрическое поле по длине канала — это сила на единицу заряда, которую испытывает частица при движении по каналу.ⓘ Электрическое поле по длине канала [E_L]			+10% -10%

✖Скорость дрейфа электронов возникает из-за электрического поля, которое, в свою очередь, заставляет электроны канала дрейфовать к стоку со скоростью.ⓘ Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS [v_d]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Скорость дрейфа электронов = Подвижность электронов на поверхности канала*Электрическое поле по длине канала
v_d = μ_n*E_L
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Скорость дрейфа электронов - (Измеряется в метр в секунду) - Скорость дрейфа электронов возникает из-за электрического поля, которое, в свою очередь, заставляет электроны канала дрейфовать к стоку со скоростью.
Подвижность электронов на поверхности канала - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электронов на поверхности канала относится к способности электронов перемещаться или проводить ток в поверхностном слое материала под действием электрического поля.
Электрическое поле по длине канала - (Измеряется в вольт) - Электрическое поле по длине канала — это сила на единицу заряда, которую испытывает частица при движении по каналу.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Подвижность электронов на поверхности канала: 2.2 Квадратный метр на вольт в секунду --> 2.2 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Электрическое поле по длине канала: 10.6 вольт --> 10.6 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

v_d = μ_n*E_L --> 2.2*10.6

Оценка ... ...

v_d = 23.32

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

23.32 метр в секунду --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

23.32 метр в секунду <-- Скорость дрейфа электронов

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Улучшение N-канала » Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< Улучшение N-канала Калькуляторы

Ток, поступающий в сток-источник в области триода NMOS

LaTeX Идти Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*((Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Напряжение источника стока-1/2*(Напряжение источника стока)^2)

Ток, поступающий на клемму стока NMOS, при заданном напряжении источника затвора

LaTeX Идти Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*((Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Напряжение источника стока-1/2*Напряжение источника стока^2)

NMOS как линейное сопротивление

LaTeX Идти Линейное сопротивление = Длина канала/(Подвижность электронов на поверхности канала*Оксид Емкость*Ширина канала*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение))

Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS

LaTeX Идти Скорость дрейфа электронов = Подвижность электронов на поверхности канала*Электрическое поле по длине канала

Узнать больше >>

Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS формула

LaTeX Идти

Скорость дрейфа электронов = Подвижность электронов на поверхности канала*Электрическое поле по длине канала
v_d = μ_n*E_L

Объясните работу транзистора NMOS.

Транзистор NMOS с напряжением на источнике газа> порогового напряжения и с небольшим напряжением между стоком и истоком. Устройство действует как сопротивление, величина которого определяется напряжением на источнике газа. В частности, проводимость канала пропорциональна напряжению на источнике газа - пороговому напряжению, и, таким образом, Id пропорционален (напряжение на источнике газа - пороговое напряжение) напряжению между стоком и истоком.

Что такое подвижность электрона в канале?

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!