Эффективная емкость CMOS Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Эффективная емкость в КМОП = Рабочий цикл*(Выкл. ток*(10^(Базовое напряжение коллектора)))/(Гейтс на критическом пути*[BoltZ]*Базовое напряжение коллектора)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)
В этой формуле используются 1 Константы, 5 Переменные
Используемые константы
[BoltZ] - постоянная Больцмана Значение, принятое как 1.38064852E-23
Используемые переменные
Эффективная емкость в КМОП - (Измеряется в фарада) - Эффективная емкость в КМОП определяется как отношение количества электрического заряда, накопленного на проводнике, к разнице электрических потенциалов.
Рабочий цикл - Рабочий цикл или цикл мощности — это часть одного периода, в течение которого сигнал или система активны.
Выкл. ток - (Измеряется в Ампер) - Ток выключения выключателя – несуществующая в реальности величина. Настоящие переключатели обычно имеют очень небольшой ток отключения, который иногда называют током утечки.
Базовое напряжение коллектора - (Измеряется в вольт) - Напряжение базового коллектора является важнейшим параметром смещения транзистора. Это относится к разнице напряжений между базовыми и коллекторными выводами транзистора, когда он находится в активном состоянии.
Гейтс на критическом пути - Элементы на критическом пути определяются как общее количество логических элементов, необходимых в течение одного цикла в КМОП.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Рабочий цикл: 1.3E-25 --> Конверсия не требуется
Выкл. ток: 0.01 Миллиампер --> 1E-05 Ампер (Проверьте преобразование ​здесь)
Базовое напряжение коллектора: 2.02 вольт --> 2.02 вольт Конверсия не требуется
Гейтс на критическом пути: 0.95 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02)
Оценка ... ...
Ceff = 5.13789525162511E-06
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
5.13789525162511E-06 фарада -->5.13789525162511 Микрофарад (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
5.13789525162511 5.137895 Микрофарад <-- Эффективная емкость в КМОП
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

Характеристики схемы КМОП Калькуляторы

Критическое напряжение КМОП
​ LaTeX ​ Идти Критическое напряжение в КМОП = Критическое электрическое поле*Длина свободного пробега
Средний свободный путь CMOS
​ LaTeX ​ Идти Длина свободного пробега = Критическое напряжение в КМОП/Критическое электрическое поле
Ширина исходного распространения
​ LaTeX ​ Идти Ширина перехода = Область диффузии источника/Длина источника
Область диффузии источника
​ LaTeX ​ Идти Область диффузии источника = Длина источника*Ширина перехода

Эффективная емкость CMOS формула

​LaTeX ​Идти
Эффективная емкость в КМОП = Рабочий цикл*(Выкл. ток*(10^(Базовое напряжение коллектора)))/(Гейтс на критическом пути*[BoltZ]*Базовое напряжение коллектора)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)

Что такое подпороговая проводимость?

Допороговая проводимость, или подпороговая утечка, или подпороговый ток стока - это ток между истоком и стоком полевого МОП-транзистора, когда транзистор находится в подпороговой области или в области слабой инверсии, то есть для напряжений затвор-исток ниже порогового напряжения.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!