калькулятор НОК

Ток стока MOSFET в области насыщения Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Интегральные схемы (ИС)EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Изготовление МОП-ИС Изготовление биполярных ИС Триггер Шмитта

✖Параметр крутизны определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения устройства.ⓘ Параметр крутизны [β]			+10% -10%
✖Напряжение источника затвора относится к разности потенциалов между клеммой затвора и клеммой истока устройства. Это напряжение играет решающую роль в контроле проводимости МОП-транзистора.ⓘ Напряжение источника затвора [V_gs]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение с нулевым смещением тела относится к пороговому напряжению, когда к полупроводниковой подложке (клемме корпуса) не применяется внешнее смещение.ⓘ Пороговое напряжение с нулевым смещением тела [V_th]			+10% -10%
✖Коэффициент модуляции длины канала, при котором эффективная длина канала увеличивается с увеличением напряжения сток-исток.ⓘ Коэффициент модуляции длины канала [λ_i]			+10% -10%
✖Напряжение источника стока — это напряжение на клеммах стока и истока.ⓘ Напряжение источника стока [V_ds]			+10% -10%

✖Ток стока относится к току, протекающему между клеммами стока и истока транзистора, когда он работает.ⓘ Ток стока MOSFET в области насыщения [I_d]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Ток стока MOSFET в области насыщения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)
I_d = β/2*(V_gs-V_th)^2*(1+λ_i*V_ds)
В этой формуле используются 6 Переменные

Используемые переменные

Ток стока - (Измеряется в Ампер) - Ток стока относится к току, протекающему между клеммами стока и истока транзистора, когда он работает.
Параметр крутизны - (Измеряется в Сименс) - Параметр крутизны определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения устройства.
Напряжение источника затвора - (Измеряется в вольт) - Напряжение источника затвора относится к разности потенциалов между клеммой затвора и клеммой истока устройства. Это напряжение играет решающую роль в контроле проводимости МОП-транзистора.
Пороговое напряжение с нулевым смещением тела - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение с нулевым смещением тела относится к пороговому напряжению, когда к полупроводниковой подложке (клемме корпуса) не применяется внешнее смещение.
Коэффициент модуляции длины канала - Коэффициент модуляции длины канала, при котором эффективная длина канала увеличивается с увеличением напряжения сток-исток.
Напряжение источника стока - (Измеряется в вольт) - Напряжение источника стока — это напряжение на клеммах стока и истока.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Параметр крутизны: 0.0025 Сименс --> 0.0025 Сименс Конверсия не требуется
Напряжение источника затвора: 2.45 вольт --> 2.45 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение с нулевым смещением тела: 3.4 вольт --> 3.4 вольт Конверсия не требуется
Коэффициент модуляции длины канала: 9 --> Конверсия не требуется
Напряжение источника стока: 1.24 вольт --> 1.24 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_d = β/2*(V_gs-V_th)^2*(1+λ_i*V_ds) --> 0.0025/2*(2.45-3.4)^2*(1+9*1.24)

Оценка ... ...

I_d = 0.013718

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.013718 Ампер --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.013718 Ампер <-- Ток стока

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Ток стока MOSFET в области насыщения

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Эффект тела в MOSFET

LaTeX Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Ток стока MOSFET в области насыщения

LaTeX Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Сопротивление канала

LaTeX Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

LaTeX Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Узнать больше >>