Ток стока, когда NMOS работает как источник тока, управляемый напряжением Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Ток стока в NMOS = 1/2*Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)^2
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vgs-VT)^2
В этой формуле используются 6 Переменные
Используемые переменные
Ток стока в NMOS - (Измеряется в Ампер) - Ток стока в NMOS - это электрический ток, протекающий от стока к истоку полевого транзистора (FET) или полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET).
Параметр крутизны процесса в NMOS - (Измеряется в Сименс) - Параметр крутизны процесса в NMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.
Ширина канала - (Измеряется в Метр) - Ширина канала относится к количеству полосы пропускания, доступной для передачи данных в канале связи.
Длина канала - (Измеряется в Метр) - Длина канала может быть определена как расстояние между его начальной и конечной точками и может сильно варьироваться в зависимости от его назначения и местоположения.
Напряжение источника затвора - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвор-исток — это напряжение, которое падает на вывод затвор-исток транзистора.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Параметр крутизны процесса в NMOS: 2 Миллисименс --> 0.002 Сименс (Проверьте преобразование ​здесь)
Ширина канала: 10 микрометр --> 1E-05 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Длина канала: 3 микрометр --> 3E-06 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Напряжение источника затвора: 10.3 вольт --> 10.3 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 1.82 вольт --> 1.82 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vgs-VT)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(10.3-1.82)^2
Оценка ... ...
Id = 0.239701333333333
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.239701333333333 Ампер -->239.701333333333 Миллиампер (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
239.701333333333 239.7013 Миллиампер <-- Ток стока в NMOS
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

Улучшение N-канала Калькуляторы

Ток, поступающий в сток-источник в области триода NMOS
​ LaTeX ​ Идти Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*((Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Напряжение источника стока-1/2*(Напряжение источника стока)^2)
Ток, поступающий на клемму стока NMOS, при заданном напряжении источника затвора
​ LaTeX ​ Идти Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*((Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Напряжение источника стока-1/2*Напряжение источника стока^2)
NMOS как линейное сопротивление
​ LaTeX ​ Идти Линейное сопротивление = Длина канала/(Подвижность электронов на поверхности канала*Оксид Емкость*Ширина канала*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение))
Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS
​ LaTeX ​ Идти Скорость дрейфа электронов = Подвижность электронов на поверхности канала*Электрическое поле по длине канала

Ток стока, когда NMOS работает как источник тока, управляемый напряжением формула

​LaTeX ​Идти
Ток стока в NMOS = 1/2*Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)^2
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vgs-VT)^2

Что такое ток стока в MOSFET?

Ток стока ниже порогового напряжения определяется как подпороговый ток и изменяется экспоненциально с Vgs. Величина, обратная крутизне логарифмической характеристики (Ids) по сравнению с Vgs, определяется как подпороговая крутизна, S, и является одним из наиболее важных показателей производительности полевых МОП-транзисторов в логических приложениях.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!