✖Подвижность электрона определяется как величина средней скорости дрейфа на единицу электрического поля.ⓘ Подвижность электрона [μn] | | | +10% -10% |
✖Оксидная емкость затвора — это способность компонента или схемы собирать и хранить энергию в виде электрического заряда.ⓘ Емкость оксида затвора [Cox] | | | +10% -10% |
✖Ширина затворного перехода определяется как ширина затворного перехода в полупроводниковом устройстве.ⓘ Ширина соединения ворот [Wgate] | | | +10% -10% |
✖Длина ворот — это просто физическая длина ворот. Длина канала — это путь, который связывает носители заряда между стоком и истоком.ⓘ Длина ворот [Lg] | | | +10% -10% |
✖Напряжение затвор-исток транзистора — это напряжение, которое падает на клемму затвор-исток транзистора.ⓘ Напряжение источника затвора [Vgs] | | | +10% -10% |
✖Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для создания проводящего пути между выводами истока и стока.ⓘ Пороговое напряжение [Vth] | | | +10% -10% |
✖Напряжение насыщения истока стока — это разность потенциалов между выводами эмиттера и коллектора, необходимая для включения полевого МОП-транзистора.ⓘ Напряжение насыщения источника стока [Vds] | | | +10% -10% |