калькулятор НОК

Концентрация доноров Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Твердотельные устройства EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

SSD-соединение Полупроводниковые носители Электроны и дырки Энергетический диапазон и носитель заряда

✖Общий заряд акцептора относится к общему чистому заряду, связанному с атомами акцептора в полупроводниковом материале или устройстве.ⓘ Общий заряд акцептора [\|Q\|]			+10% -10%
✖Проникновение заряда P-тип относится к явлению, когда атомы примеси, такие как бор или галлий, вносят дырки в кристаллическую решетку полупроводникового материала, обычно кремния или германия.ⓘ Проникновение заряда P-типа [x_po]			+10% -10%
✖Область перехода — это граница или область интерфейса между двумя типами полупроводниковых материалов в p-n-диоде.ⓘ Зона соединения [A_j]			+10% -10%

✖Концентрация доноров относится к концентрации или плотности атомов доноров в полупроводниковом материале.ⓘ Концентрация доноров [N_d]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать SSD-соединение Формулы PDF PDF Image

Концентрация доноров Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Концентрация доноров = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда P-типа*Зона соединения)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)
В этой формуле используются 1 Константы, 4 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые переменные

Концентрация доноров - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация доноров относится к концентрации или плотности атомов доноров в полупроводниковом материале.
Общий заряд акцептора - (Измеряется в Кулон) - Общий заряд акцептора относится к общему чистому заряду, связанному с атомами акцептора в полупроводниковом материале или устройстве.
Проникновение заряда P-типа - (Измеряется в Метр) - Проникновение заряда P-тип относится к явлению, когда атомы примеси, такие как бор или галлий, вносят дырки в кристаллическую решетку полупроводникового материала, обычно кремния или германия.
Зона соединения - (Измеряется в Квадратный метр) - Область перехода — это граница или область интерфейса между двумя типами полупроводниковых материалов в p-n-диоде.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Общий заряд акцептора: 13 Кулон --> 13 Кулон Конверсия не требуется
Проникновение заряда P-типа: 0.06 микрометр --> 6E-08 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Зона соединения: 5401.3 Площадь микрометра --> 5.4013E-09 Квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j) --> 13/([Charge-e]*6E-08*5.4013E-09)

Оценка ... ...

N_d = 2.50370647427462E+35

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

2.50370647427462E+35 1 на кубический метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

2.50370647427462E+35 ≈ 2.5E+35 1 на кубический метр <-- Концентрация доноров

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Твердотельные устройства » SSD-соединение » Концентрация доноров

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< SSD-соединение Калькуляторы

Емкость перехода

LaTeX Идти Емкость перехода = (Зона соединения/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Смещение постоянной длины*Легирующая концентрация основания)/(Напряжение источника-Напряжение источника 1))

Последовательное сопротивление P-типа

LaTeX Идти Последовательное сопротивление в P-переходе = ((Напряжение источника-Напряжение соединения)/Электрический ток)-Последовательное сопротивление в N-переходе

Переходное напряжение

LaTeX Идти Напряжение соединения = Напряжение источника-(Последовательное сопротивление в P-переходе+Последовательное сопротивление в N-переходе)*Электрический ток

Ширина N-типа

LaTeX Идти Проникновение заряда N-типа = Общий заряд акцептора/(Зона соединения*Концентрация акцептора*[Charge-e])

Узнать больше >>

Концентрация доноров формула

LaTeX Идти

Концентрация доноров = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда P-типа*Зона соединения)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)

Что такое Донорный атом?

Донор — это легирующий атом, который при добавлении в полупроводник может образовывать область n-типа. Атом-донор имеет больше электронов, доступных для связи с соседними атомами, чем требуется для атома в полупроводнике-хозяине.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!