Глубина фокуса Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)
DOF = k2*λl/(NA^2)
В этой формуле используются 4 Переменные
Используемые переменные
Глубина фокуса - (Измеряется в метр) - Глубина фокуса — критический параметр, влияющий на устойчивость к изменениям высоты полупроводниковой пластины.
Коэффициент пропорциональности - Коэффициент пропорциональности — это константа, которая связывает два ключевых параметра: критический размер (CD) и экспозиционную дозу.
Длина волны в фотолитографии - (Измеряется в метр) - Длина волны в фотолитографии относится к определенному диапазону электромагнитного излучения, используемого для формирования рисунка на полупроводниковых пластинах в процессе производства полупроводников.
Числовая апертура - Числовая апертура оптической системы — это параметр, используемый в оптике для описания возможностей оптической системы. В контексте производства полупроводников и фотолитографии.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Коэффициент пропорциональности: 3 --> Конверсия не требуется
Длина волны в фотолитографии: 223 нанометр --> 2.23E-07 метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Числовая апертура: 0.717 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
DOF = k2l/(NA^2) --> 3*2.23E-07/(0.717^2)
Оценка ... ...
DOF = 1.30133109247621E-06
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
1.30133109247621E-06 метр -->1.30133109247621 микрометр (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
1.30133109247621 1.301331 микрометр <-- Глубина фокуса
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Эффект тела в MOSFET
​ LaTeX ​ Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))
Ток стока MOSFET в области насыщения
​ LaTeX ​ Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)
Сопротивление канала
​ LaTeX ​ Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)
Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления
​ LaTeX ​ Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Глубина фокуса формула

​LaTeX ​Идти
Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)
DOF = k2*λl/(NA^2)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!