Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
Процент выигрыша
Cмешанная дробь
НОК двух чисел
Глубина истощения Регион, связанный с источником Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
физика
финансовый
Химия
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Технология производства
Химическая инженерия
Электрические
Электроника и приборы
⤿
Аналоговая электроника
EDC
Аналоговая связь
Антенна
Беспроводная связь
Волоконно-оптическая передача
Встроенная система
Изготовление СБИС
Интегральные схемы (ИС)
Конструкция оптического волокна
Линия передачи и антенна
Оптоэлектронные устройства
Проектирование и применение КМОП
Радиолокационная система
РФ Микроэлектроника
Сигнал и системы
Силовая электроника
Система контроля
Системы коммутации телекоммуникаций
Спутниковая связь
Твердотельные устройства
Телевизионная инженерия
Теория информации и кодирование
Теория СВЧ
Теория электромагнитного поля
Усилители
Цифровая обработка изображений
Цифровая связь
⤿
МОП-транзистор
БЮТ
⤿
МОП-транзистор
Анализ малых сигналов
Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель
Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)
Коэффициент усиления или усиление
крутизна
Напряжение
Предвзятость
Сопротивление
Текущий
Улучшение N-канала
Улучшение P-канала
Характеристики МОП-транзистора
✖
Встроенный потенциал перехода — это разность потенциалов или напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе, когда он не подключен к внешнему источнику напряжения.
ⓘ
Встроенный потенциал соединения [Φ
o
]
Abvolt
Аттовольт
сантивольт
Децивольт
Декавольт
EMU электрического потенциала
ESU электрического потенциала
Фемтовольт
Гигавольт
Гектовольт
киловольт
Мегавольт
микровольт
милливольт
Нановольт
петавольт
пиковольт
Планка напряжения
Statvolt
Теравольт
вольт
Ватт / Ампер
Йоктовольт
Цептовольт
+10%
-10%
✖
Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
ⓘ
Легирующая концентрация акцептора [N
A
]
Электронов на кубический ангстрем
Электронов на кубический аттометр
Электронов на кубический сантиметр
Электронов на кубический фемтометр
Электронов на кубический метр
Электронов на кубический микрометр
Электронов на кубический миллиметр
Электронов на кубический нанометр
Электронов на кубический пикометр
+10%
-10%
✖
Область истощения источника — это область истощения, образующаяся вблизи клеммы истока, когда напряжение подается на клемму затвора.
ⓘ
Глубина истощения Регион, связанный с источником [x
dS
]
створа
Ангстрем
арпан
астрономическая единица
Аттометр
AU длины
Ячменное зерно
Миллиардный свет
Бор Радиус
Кабель (международный)
Кабель (UK)
Кабель (США)
калибр
сантиметр
цепь
Cubit (греческий)
Кубит (Длинный)
Cubit (Великобритания)
Декаметр
Дециметр
Земля Расстояние от Луны
Земля Расстояние от Солнца
Экваториальный радиус Земли
Полярный радиус Земли
Радиус электрона (классическая)
флигель
Экзаметр
Famn
Вникать
Femtometer
Ферми
Палец (ткань)
ширина пальца
Фут
Foot (служба США)
Фарлонг
Гигаметр
Рука
Ладонь
гектометр
дюйм
кругозор
километр
килопарсек
килоярд
лига
Лига (Статут)
Световой год
Ссылка
Мегаметр
Мегапарсек
метр
микродюйм
микрометр
микрон
мил
мили
Миля (Роман)
Миля (служба США)
Миллиметр
Миллион светлого года
Nail (ткань)
нанометр
Морская лига (международная)
Морская лига Великобритании
Морская миля (Международный)
Морская миля (Великобритания)
парсек
Окунь
петаметр
цицеро
пикометра
Планка Длина
Точка
полюс
квартал
Рид
Рид (длинный)
прут
Роман Actus
канатный
русский Арчин
Span (ткань)
Солнечный радиус
Тераметр
Твип
Vara Кастеллана
Vara Conuquera
Vara De Фаарея
Двор
Йоктометр
Йоттаметр
Зептометр
Зеттаметр
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
✖
Глубина истощения Регион, связанный с источником
Формула
`"x"_{"dS"} = sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*"Φ"_{"o"})/("[Charge-e]"*"N"_{"A"}))`
Пример
`"1.5E^7m"=sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*"2V")/("[Charge-e]"*"1.32electrons/cm³"))`
Калькулятор
LaTeX
сбросить
👍
Скачать МОП-транзистор формула PDF
Глубина истощения Регион, связанный с источником Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Регион глубины истощения источника
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Встроенный потенциал соединения
)/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
x
dS
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Φ
o
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))
В этой формуле используются
2
Константы
,
1
Функции
,
3
Переменные
Используемые константы
[Permitivity-silicon]
- Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Charge-e]
- Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые функции
sqrt
- Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)
Используемые переменные
Регион глубины истощения источника
-
(Измеряется в метр)
- Область истощения источника — это область истощения, образующаяся вблизи клеммы истока, когда напряжение подается на клемму затвора.
Встроенный потенциал соединения
-
(Измеряется в вольт)
- Встроенный потенциал перехода — это разность потенциалов или напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе, когда он не подключен к внешнему источнику напряжения.
Легирующая концентрация акцептора
-
(Измеряется в Электронов на кубический метр)
- Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Встроенный потенциал соединения:
2 вольт --> 2 вольт Конверсия не требуется
Легирующая концентрация акцептора:
1.32 Электронов на кубический сантиметр --> 1320000 Электронов на кубический метр
(Проверьте преобразование
здесь
)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
x
dS
= sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Φ
o
)/([Charge-e]*N
A
)) -->
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*1320000))
Оценка ... ...
x
dS
= 14875814.9060508
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
14875814.9060508 метр --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
14875814.9060508
≈
1.5E+7 метр
<--
Регион глубины истощения источника
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
МОП-транзистор
»
Аналоговая электроника
»
МОП-транзистор
»
Глубина истощения Регион, связанный с источником
Кредиты
Сделано
банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар
(ДСКЭ)
,
Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Проверено
Дипанхона Маллик
Технологический институт наследия
(ХИТК)
,
Калькутта
Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
21 МОП-транзистор Калькуляторы
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Идти
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
= -(2*
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
)/(
Конечное напряжение
-
Начальное напряжение
)*(
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
-
Конечное напряжение
)-
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
-
Начальное напряжение
)))
Понизьте ток в линейной области
Идти
Линейный регион Понижающий ток
=
sum
(x,0,
Количество транзисторов параллельного управления
,(
Электронная подвижность
*
Оксидная емкость
/2)*(
ширина канала
/
Длина канала
)*(2*(
Напряжение источника затвора
-
Пороговое напряжение
)*
Выходное напряжение
-
Выходное напряжение
^2))
Уменьшите ток в области насыщения
Идти
Область насыщения Понижающий ток
=
sum
(x,0,
Количество транзисторов параллельного управления
,(
Электронная подвижность
*
Оксидная емкость
/2)*(
ширина канала
/
Длина канала
)*(
Напряжение источника затвора
-
Пороговое напряжение
)^2)
Напряжение узла в данном случае
Идти
Напряжение узла в данном случае
= (
Фактор крутизны
/
Емкость узла
)*
int
(
exp
(-(1/(
Сопротивление узла
*
Емкость узла
))*(
Временной период
-x))*
Ток, текущий в узел
*x,x,0,
Временной период
)
Время насыщения
Идти
Время насыщения
= -2*
Емкость нагрузки
/(
Параметр процесса крутизны
*(
Высокое выходное напряжение
-
Пороговое напряжение
)^2)*
int
(1,x,
Высокое выходное напряжение
,
Высокое выходное напряжение
-
Пороговое напряжение
)
Ток стока, протекающий через МОП-транзистор
Идти
Ток стока
= (
ширина канала
/
Длина канала
)*
Электронная подвижность
*
Оксидная емкость
*
int
((
Напряжение источника затвора
-x-
Пороговое напряжение
),x,0,
Напряжение источника стока
)
Временная задержка, когда NMOS работает в линейной области
Идти
Линейная область во временной задержке
= -2*
Емкость перехода
*
int
(1/(
Параметр процесса крутизны
*(2*(
Входное напряжение
-
Пороговое напряжение
)*x-x^2)),x,
Начальное напряжение
,
Конечное напряжение
)
Плотность заряда области истощения
Идти
Плотность заряда слоя истощения
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Легирующая концентрация акцептора
*
modulus
(
Поверхностный потенциал
-
Объемный потенциал Ферми
)))
Глубина истощения региона, связанного с дренажом
Идти
Область истощения стока
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Встроенный потенциал соединения
+
Напряжение источника стока
))/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
Потенциал Ферми для N-типа
Идти
Потенциал Ферми для N-типа
= (
[BoltZ]
*
Абсолютная температура
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Концентрация донорской легирующей примеси
/
Собственная концентрация носителей
)
Эквивалентная большая сигнальная емкость
Идти
Эквивалентная большая сигнальная емкость
= (1/(
Конечное напряжение
-
Начальное напряжение
))*
int
(
Емкость перехода
*x,x,
Начальное напряжение
,
Конечное напряжение
)
Максимальная глубина истощения
Идти
Максимальная глубина истощения
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Объемный потенциал Ферми
))/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
Ток стока в области насыщения МОП-транзистора
Идти
Ток стока области насыщения
=
ширина канала
*
Скорость дрейфа электронов насыщения
*
int
(
Обвинение
*
Параметр короткого канала
,x,0,
Эффективная длина канала
)
Потенциал Ферми для типа P
Идти
Потенциал Ферми для типа P
= (
[BoltZ]
*
Абсолютная температура
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Собственная концентрация носителей
/
Легирующая концентрация акцептора
)
Заложенный потенциал в регионе истощения
Идти
Встроенное напряжение
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Легирующая концентрация акцептора
*
modulus
(-2*
Объемный потенциал Ферми
)))
Глубина истощения Регион, связанный с источником
Идти
Регион глубины истощения источника
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Встроенный потенциал соединения
)/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
Коэффициент смещения подложки
Идти
Коэффициент смещения подложки
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Легирующая концентрация акцептора
)/
Оксидная емкость
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
Идти
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
=
Периметр боковой стенки
*
Емкость бокового перехода
*
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Средняя мощность, рассеиваемая за период времени
Идти
Средняя мощность
= (1/
Общее затраченное время
)*
int
(
Напряжение
*
Текущий
,x,0,
Общее затраченное время
)
Рабочая функция в MOSFET
Идти
Рабочая функция
=
Уровень вакуума
+(
Уровень энергии зоны проводимости
-
Уровень Ферми
)
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины
Идти
Емкость бокового перехода
=
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением
*
Глубина боковины
Глубина истощения Регион, связанный с источником формула
Регион глубины истощения источника
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Встроенный потенциал соединения
)/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
x
dS
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Φ
o
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!