Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
Процент выигрыша
Cмешанная дробь
НОК двух чисел
Глубина истощения Регион, связанный с источником Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
Больше >>
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Больше >>
⤿
Аналоговая электроника
EDC
Аналоговая связь
Антенна и распространение волн
Больше >>
⤿
МОП-транзистор
БЮТ
⤿
МОП-транзистор
Анализ малых сигналов
Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель
Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)
Больше >>
✖
Встроенный потенциал перехода — это разность потенциалов или напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе, когда он не подключен к внешнему источнику напряжения.
ⓘ
Встроенный потенциал соединения [Φ
o
]
киловольт
Мегавольт
микровольт
милливольт
Нановольт
Планка напряжения
вольт
+10%
-10%
✖
Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
ⓘ
Легирующая концентрация акцептора [N
A
]
Электронов на кубический сантиметр
Электронов на кубический метр
+10%
-10%
✖
Область истощения источника — это область истощения, образующаяся вблизи клеммы истока, когда напряжение подается на клемму затвора.
ⓘ
Глубина истощения Регион, связанный с источником [x
dS
]
Ангстрем
астрономическая единица
сантиметр
Дециметр
Экваториальный радиус Земли
Ферми
Фут
дюйм
километр
Световой год
Метр
микродюйм
микрометр
микрон
мили
Миллиметр
нанометр
пикометра
Двор
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
✖
Глубина истощения Регион, связанный с источником
Формула
x
dS
=
2
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
Φ
o
[Charge-e]
⋅
N
A
Пример
1.5E+7 m
=
2
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
2 V
[Charge-e]
⋅
1.32 electrons/cm³
Калькулятор
LaTeX
сбросить
👍
Скачать МОП-транзистор формула PDF
Глубина истощения Регион, связанный с источником Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Регион глубины истощения источника
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Встроенный потенциал соединения
)/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
x
dS
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Φ
o
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))
В этой формуле используются
2
Константы
,
1
Функции
,
3
Переменные
Используемые константы
[Permitivity-silicon]
- Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Charge-e]
- Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые функции
sqrt
- Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)
Используемые переменные
Регион глубины истощения источника
-
(Измеряется в Метр)
- Область истощения источника — это область истощения, образующаяся вблизи клеммы истока, когда напряжение подается на клемму затвора.
Встроенный потенциал соединения
-
(Измеряется в вольт)
- Встроенный потенциал перехода — это разность потенциалов или напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе, когда он не подключен к внешнему источнику напряжения.
Легирующая концентрация акцептора
-
(Измеряется в Электронов на кубический метр)
- Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Встроенный потенциал соединения:
2 вольт --> 2 вольт Конверсия не требуется
Легирующая концентрация акцептора:
1.32 Электронов на кубический сантиметр --> 1320000 Электронов на кубический метр
(Проверьте преобразование
здесь
)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
x
dS
= sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Φ
o
)/([Charge-e]*N
A
)) -->
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*1320000))
Оценка ... ...
x
dS
= 14875814.9060508
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
14875814.9060508 Метр --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
14875814.9060508
≈
1.5E+7 Метр
<--
Регион глубины истощения источника
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
МОП-транзистор
»
Аналоговая электроника
»
МОП-транзистор
»
Глубина истощения Регион, связанный с источником
Кредиты
Сделано
банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар
(ДСКЭ)
,
Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Проверено
Дипанхона Маллик
Технологический институт наследия
(ХИТК)
,
Калькутта
Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
МОП-транзистор Калькуляторы
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Идти
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
= -(2*
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
)/(
Конечное напряжение
-
Начальное напряжение
)*(
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
-
Конечное напряжение
)-
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
-
Начальное напряжение
)))
Потенциал Ферми для типа P
Идти
Потенциал Ферми для типа P
= (
[BoltZ]
*
Абсолютная температура
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Собственная концентрация носителей
/
Легирующая концентрация акцептора
)
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
Идти
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
=
Периметр боковой стенки
*
Емкость бокового перехода
*
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины
Идти
Емкость бокового перехода
=
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением
*
Глубина боковины
Узнать больше >>
Глубина истощения Регион, связанный с источником формула
Регион глубины истощения источника
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Встроенный потенциал соединения
)/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
x
dS
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Φ
o
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!