✖Параметр крутизны процесса в NMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.ⓘ Параметр крутизны процесса в NMOS [k'n] | | | +10% -10% |
✖Ширина канала относится к количеству полосы пропускания, доступной для передачи данных в канале связи.ⓘ Ширина канала [Wc] | | | +10% -10% |
✖Длина канала может быть определена как расстояние между его начальной и конечной точками и может сильно варьироваться в зависимости от его назначения и местоположения.ⓘ Длина канала [L] | | | +10% -10% |
✖Напряжение затвор-исток — это напряжение, которое падает на вывод затвор-исток транзистора.ⓘ Напряжение источника затвора [Vgs] | | | +10% -10% |
✖Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.ⓘ Пороговое напряжение [VT] | | | +10% -10% |
✖Напряжение источника стока — это электрический термин, используемый в электронике и, в частности, в полевых транзисторах. Это относится к разнице напряжений между выводами стока и истока полевого транзистора.ⓘ Напряжение источника стока [Vds] | | | +10% -10% |