калькулятор НОД

Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Усилители EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Транзисторные усилители Выходные каскады и усилители мощности Дифференциальные усилители BJT МОП-транзисторные усилители Больше >>

⤿

Характеристики транзисторного усилителя CV-действия усилителей общего каскада Излучатель-последователь Каскодный усилитель Больше >>

✖Параметр крутизны процесса является произведением подвижности электронов в канале и оксидной емкости.ⓘ Параметр крутизны процесса [k'_n]			+10% -10%
✖Ширина канала — это размер канала MOSFET.ⓘ Ширина канала [W_c]			+10% -10%
✖Длина канала L — расстояние между двумя -p-переходами.ⓘ Длина канала [L]			+10% -10%
✖Эффективным напряжением или напряжением перегрузки называется превышение напряжения на оксиде над тепловым напряжением.ⓘ Эффективное напряжение [V_ov]			+10% -10%

✖Ток стока насыщения определяется как подпороговой ток и изменяется экспоненциально в зависимости от напряжения затвор-исток.ⓘ Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении [i_ds]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Характеристики транзисторного усилителя Формулы PDF PDF Image

Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)*(Эффективное напряжение)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Ток стока насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток стока насыщения определяется как подпороговой ток и изменяется экспоненциально в зависимости от напряжения затвор-исток.
Параметр крутизны процесса - (Измеряется в Ампер на квадратный вольт) - Параметр крутизны процесса является произведением подвижности электронов в канале и оксидной емкости.
Ширина канала - (Измеряется в Метр) - Ширина канала — это размер канала MOSFET.
Длина канала - (Измеряется в Метр) - Длина канала L — расстояние между двумя -p-переходами.
Эффективное напряжение - (Измеряется в вольт) - Эффективным напряжением или напряжением перегрузки называется превышение напряжения на оксиде над тепловым напряжением.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Параметр крутизны процесса: 0.2 Ампер на квадратный вольт --> 0.2 Ампер на квадратный вольт Конверсия не требуется
Ширина канала: 10.15 микрометр --> 1.015E-05 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Длина канала: 3.25 микрометр --> 3.25E-06 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Эффективное напряжение: 0.123 вольт --> 0.123 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2 --> 1/2*0.2*(1.015E-05/3.25E-06)*(0.123)^2

Оценка ... ...

i_ds = 0.00472490307692308

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.00472490307692308 Ампер -->4.72490307692308 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

4.72490307692308 ≈ 4.724903 Миллиампер <-- Ток стока насыщения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Усилители » Транзисторные усилители » Характеристики транзисторного усилителя » Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< Характеристики транзисторного усилителя Калькуляторы

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида

LaTeX Идти Выходной ток = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком

Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении

LaTeX Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)*(Эффективное напряжение)^2

Общее мгновенное напряжение стока

LaTeX Идти Общее мгновенное напряжение стока = Основное напряжение компонента-Сопротивление дренажу*Ток стока

Входное напряжение транзистора

LaTeX Идти Основное напряжение компонента = Сопротивление дренажу*Ток стока-Общее мгновенное напряжение стока

Узнать больше >>

Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении формула

LaTeX Идти

Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)*(Эффективное напряжение)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2

Что такое ток стока в MOSFET?

Ток стока ниже порогового напряжения определяется как подпороговый ток и изменяется экспоненциально с Vgs. Величина, обратная крутизне логарифмической характеристики (Ids) по сравнению с Vgs, определяется как подпороговая крутизна, S, и является одним из наиболее важных показателей производительности полевых МОП-транзисторов в логических приложениях.

Какой ток может выдержать полевой МОП-транзистор?

МОП-транзисторы с высоким током, такие как 511-STP200N3LL, говорят, что они могут выдерживать ток 120 А. Полевой транзистор с металлическим оксидом и полупроводником, или сокращенно MOSFET, имеет чрезвычайно высокое входное сопротивление затвора, при этом ток, протекающий по каналу между истоком и стоком, регулируется напряжением затвора.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!