калькулятор НОД

Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

Улучшение P-канала Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Подвижность дырок в канале зависит от различных факторов, таких как кристаллическая структура полупроводникового материала, наличие примесей, температура,ⓘ Подвижность отверстий в канале [μ_p]			+10% -10%
✖Горизонтальная составляющая электрического поля в канале — это напряженность электрического поля, существующего в материале под оксидным слоем затвора, в области, где формируется инверсионный слой.ⓘ Горизонтальная составляющая электрического поля в канале [E_y]			+10% -10%

✖Скорость дрейфа инверсионного слоя в полевом МОП-транзисторе представляет собой среднюю скорость электронов, составляющих инверсионный слой, при их движении через материал под действием электрического поля.ⓘ Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности [V_y]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Скорость дрейфа инверсии = Подвижность отверстий в канале*Горизонтальная составляющая электрического поля в канале
V_y = μ_p*E_y
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Скорость дрейфа инверсии - (Измеряется в метр в секунду) - Скорость дрейфа инверсионного слоя в полевом МОП-транзисторе представляет собой среднюю скорость электронов, составляющих инверсионный слой, при их движении через материал под действием электрического поля.
Подвижность отверстий в канале - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность дырок в канале зависит от различных факторов, таких как кристаллическая структура полупроводникового материала, наличие примесей, температура,
Горизонтальная составляющая электрического поля в канале - (Измеряется в Вольт на метр) - Горизонтальная составляющая электрического поля в канале — это напряженность электрического поля, существующего в материале под оксидным слоем затвора, в области, где формируется инверсионный слой.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Подвижность отверстий в канале: 2.66 Квадратный метр на вольт в секунду --> 2.66 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Горизонтальная составляющая электрического поля в канале: 5.5 Вольт на метр --> 5.5 Вольт на метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_y = μ_p*E_y --> 2.66*5.5

Оценка ... ...

V_y = 14.63

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

14.63 метр в секунду -->1463 Сантиметр в секунду (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1463 Сантиметр в секунду <-- Скорость дрейфа инверсии

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Улучшение P-канала » Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности

Кредиты

Сделано Аман Дуссават

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ГУРУ ТЕХ БАХАДУР (ГТБИТ), НЬЮ-ДЕЛИ

Аман Дуссават создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< Улучшение P-канала Калькуляторы

Ток стока в области триода PMOS-транзистора

LaTeX Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*((Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))*Напряжение между стоком и истоком-1/2*(Напряжение между стоком и истоком)^2)

Ток стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd

LaTeX Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(modulus(Эффективное напряжение)-1/2*Напряжение между стоком и истоком)*Напряжение между стоком и истоком

Ток стока в области насыщения транзистора PMOS

LaTeX Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2

Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

LaTeX Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение)^2

Узнать больше >>