✖Подвижность электрона определяется как величина средней скорости дрейфа на единицу электрического поля.ⓘ Мобильность электрона [μe] | | | +10% -10% |
✖Оксидная емкость — это емкость плоского конденсатора на единицу площади затвора.ⓘ Оксидная емкость [Cox] | | | +10% -10% |
✖Ширина канала — это размер канала MOSFET.ⓘ Ширина канала [Wc] | | | +10% -10% |
✖Длина канала L — расстояние между двумя -p-переходами.ⓘ Длина канала [L] | | | +10% -10% |
✖Напряжение на оксиде обусловлено зарядом на границе раздела оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.ⓘ Напряжение на оксиде [Vox] | | | +10% -10% |
✖Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.ⓘ Пороговое напряжение [Vt] | | | +10% -10% |
✖Напряжение насыщения между стоком и истоком транзистора — это напряжение на коллекторе и эмиттере, необходимое для насыщения.ⓘ Напряжение насыщения между стоком и истоком [Vds] | | | +10% -10% |