✖Параметр крутизны процесса в NMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.ⓘ Параметр крутизны процесса в NMOS [k'n] | | | +10% -10% |
✖Ширина канала относится к количеству полосы пропускания, доступной для передачи данных в канале связи.ⓘ Ширина канала [Wc] | | | +10% -10% |
✖Длина канала может быть определена как расстояние между его начальной и конечной точками и может сильно варьироваться в зависимости от его назначения и местоположения.ⓘ Длина канала [L] | | | +10% -10% |
✖Напряжение источника стока — это электрический термин, используемый в электронике и, в частности, в полевых транзисторах. Это относится к разнице напряжений между выводами стока и истока полевого транзистора.ⓘ Напряжение источника стока [Vds] | | | +10% -10% |
✖Повышенное напряжение в NMOS обычно относится к напряжению, приложенному к устройству или компоненту, которое превышает его нормальное рабочее напряжение.ⓘ Напряжение перегрузки в NMOS [Vov] | | | +10% -10% |