Текущий входной сливной терминал NMOS Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*Напряжение источника стока*(Напряжение перегрузки в NMOS-1/2*Напряжение источника стока)
Id = k'n*Wc/L*Vds*(Vov-1/2*Vds)
В этой формуле используются 6 Переменные
Используемые переменные
Ток стока в NMOS - (Измеряется в Ампер) - Ток стока в NMOS - это электрический ток, протекающий от стока к истоку полевого транзистора (FET) или полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET).
Параметр крутизны процесса в NMOS - (Измеряется в Сименс) - Параметр крутизны процесса в NMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.
Ширина канала - (Измеряется в Метр) - Ширина канала относится к количеству полосы пропускания, доступной для передачи данных в канале связи.
Длина канала - (Измеряется в Метр) - Длина канала может быть определена как расстояние между его начальной и конечной точками и может сильно варьироваться в зависимости от его назначения и местоположения.
Напряжение источника стока - (Измеряется в вольт) - Напряжение источника стока — это электрический термин, используемый в электронике и, в частности, в полевых транзисторах. Это относится к разнице напряжений между выводами стока и истока полевого транзистора.
Напряжение перегрузки в NMOS - (Измеряется в вольт) - Повышенное напряжение в NMOS обычно относится к напряжению, приложенному к устройству или компоненту, которое превышает его нормальное рабочее напряжение.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Параметр крутизны процесса в NMOS: 2 Миллисименс --> 0.002 Сименс (Проверьте преобразование ​здесь)
Ширина канала: 10 микрометр --> 1E-05 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Длина канала: 3 микрометр --> 3E-06 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Напряжение источника стока: 8.43 вольт --> 8.43 вольт Конверсия не требуется
Напряжение перегрузки в NMOS: 8.48 вольт --> 8.48 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Id = k'n*Wc/L*Vds*(Vov-1/2*Vds) --> 0.002*1E-05/3E-06*8.43*(8.48-1/2*8.43)
Оценка ... ...
Id = 0.239693
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.239693 Ампер -->239.693 Миллиампер (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
239.693 Миллиампер <-- Ток стока в NMOS
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

Улучшение N-канала Калькуляторы

Ток, поступающий в сток-источник в области триода NMOS
​ LaTeX ​ Идти Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*((Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Напряжение источника стока-1/2*(Напряжение источника стока)^2)
Ток, поступающий на клемму стока NMOS, при заданном напряжении источника затвора
​ LaTeX ​ Идти Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*((Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Напряжение источника стока-1/2*Напряжение источника стока^2)
NMOS как линейное сопротивление
​ LaTeX ​ Идти Линейное сопротивление = Длина канала/(Подвижность электронов на поверхности канала*Оксид Емкость*Ширина канала*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение))
Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS
​ LaTeX ​ Идти Скорость дрейфа электронов = Подвижность электронов на поверхности канала*Электрическое поле по длине канала

Текущий входной сливной терминал NMOS формула

​LaTeX ​Идти
Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*Напряжение источника стока*(Напряжение перегрузки в NMOS-1/2*Напряжение источника стока)
Id = k'n*Wc/L*Vds*(Vov-1/2*Vds)

Что такое ток стока в MOSFET?

Ток стока ниже порогового напряжения определяется как подпороговый ток и экспоненциально изменяется с V

Какой ток может выдержать полевой МОП-транзистор?

Полевые МОП-транзисторы с высокой силой тока, такие как 511-STP200N3LL, заявляют, что они могут выдерживать ток 120 А. Полевой транзистор с металлическим оксидом и полупроводником, или сокращенно MOSFET, имеет чрезвычайно высокое входное сопротивление затвора, при этом ток, протекающий через канал между истоком и стоком, составляет контролируется напряжением затвора.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!