Критическое измерение Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика физика финансовый Химия

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Технология производства Химическая инженерия Электрические Электроника и приборы

⤿

Интегральные схемы (ИС)EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Антенна и распространение волн Беспроводная связь Волоконно-оптическая передача Встроенная система Изготовление СБИС Конструкция оптического волокна Линия передачи и антенна Оптоэлектронные устройства Проектирование и применение КМОП Радиолокационная система РФ Микроэлектроника Сигнал и системы Силовая электроника Система контроля Системы коммутации телекоммуникаций Спутниковая связь Твердотельные устройства Телевизионная инженерия Теория информации и кодирование Теория СВЧ Теория электромагнитного поля Усилители Цифровая обработка изображений Цифровая связь

⤿

Изготовление МОП-ИС Изготовление биполярных ИС Триггер Шмитта

✖Константа, зависящая от процесса, относится к параметру или значению, которое характеризует конкретный аспект производственного процесса и оказывает существенное влияние на производительность полупроводниковых устройств.ⓘ Зависимая от процесса константа [k₁]			+10% -10%
✖Длина волны в фотолитографии относится к определенному диапазону электромагнитного излучения, используемого для формирования рисунка на полупроводниковых пластинах в процессе производства полупроводников.ⓘ Длина волны в фотолитографии [λ_l]			+10% -10%
✖Числовая апертура оптической системы — это параметр, используемый в оптике для описания возможностей оптической системы. В контексте производства полупроводников и фотолитографии.ⓘ Числовая апертура [NA]			+10% -10%

✖Критический размер в производстве полупроводников относится к наименьшему размеру элемента или наименьшему измеримому размеру в данном процессе.ⓘ Критическое измерение [CD]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Критическое измерение

Формула

CD = k 1 \cdot \frac{λ l}{NA}

Пример

485.1883 nm = 1.56 \cdot \frac{223 nm}{0.717}

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Критическое измерение Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Критическое измерение = Зависимая от процесса константа*Длина волны в фотолитографии/Числовая апертура
CD = k₁*λ_l/NA
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Критическое измерение - (Измеряется в Метр) - Критический размер в производстве полупроводников относится к наименьшему размеру элемента или наименьшему измеримому размеру в данном процессе.
Зависимая от процесса константа - Константа, зависящая от процесса, относится к параметру или значению, которое характеризует конкретный аспект производственного процесса и оказывает существенное влияние на производительность полупроводниковых устройств.
Длина волны в фотолитографии - (Измеряется в метр) - Длина волны в фотолитографии относится к определенному диапазону электромагнитного излучения, используемого для формирования рисунка на полупроводниковых пластинах в процессе производства полупроводников.
Числовая апертура - Числовая апертура оптической системы — это параметр, используемый в оптике для описания возможностей оптической системы. В контексте производства полупроводников и фотолитографии.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Зависимая от процесса константа: 1.56 --> Конверсия не требуется
Длина волны в фотолитографии: 223 нанометр --> 2.23E-07 метр (Проверьте преобразование здесь)
Числовая апертура: 0.717 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

CD = k₁*λ_l/NA --> 1.56*2.23E-07/0.717

Оценка ... ...

CD = 4.85188284518829E-07

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

4.85188284518829E-07 Метр -->485.188284518829 нанометр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

485.188284518829 ≈ 485.1883 нанометр <-- Критическое измерение

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Критическое измерение

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 5 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Эффект тела в MOSFET

Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Ток стока MOSFET в области насыщения

Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Время распространения

Идти Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки

Сопротивление канала

Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)