калькулятор НОК

Проводимость внешних полупроводников для N-типа Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

Полупроводниковые характеристики Параметры работы транзистора Характеристики диода Характеристики носителя заряда Больше >>

✖Концентрация доноров – это концентрация электронов в донорном состоянии.ⓘ Концентрация доноров [N_d]			+10% -10%
✖Подвижность электрона определяется как величина средней скорости дрейфа на единицу электрического поля.ⓘ Подвижность электрона [μ_n]			+10% -10%

✖Проводимость внешних полупроводников (n-типа) является мерой легкости, с которой электрический заряд или тепло могут проходить через внешний полупроводниковый материал n-типа.ⓘ Проводимость внешних полупроводников для N-типа [σ_n]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Полупроводниковые характеристики Формулы PDF PDF Image

Проводимость внешних полупроводников для N-типа Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Проводимость внешних полупроводников (n-типа) = Концентрация доноров*[Charge-e]*Подвижность электрона
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n
В этой формуле используются 1 Константы, 3 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые переменные

Проводимость внешних полупроводников (n-типа) - (Измеряется в Сименс/ метр) - Проводимость внешних полупроводников (n-типа) является мерой легкости, с которой электрический заряд или тепло могут проходить через внешний полупроводниковый материал n-типа.
Концентрация доноров - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация доноров – это концентрация электронов в донорном состоянии.
Подвижность электрона - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электрона определяется как величина средней скорости дрейфа на единицу электрического поля.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Концентрация доноров: 2E+17 1 на кубический метр --> 2E+17 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Подвижность электрона: 180 Квадратный метр на вольт в секунду --> 180 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n --> 2E+17*[Charge-e]*180

Оценка ... ...

σ_n = 5.767835832

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

5.767835832 Сименс/ метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

5.767835832 ≈ 5.767836 Сименс/ метр <-- Проводимость внешних полупроводников (n-типа)

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » EDC » Полупроводниковые характеристики » Проводимость внешних полупроводников для N-типа

Кредиты

Сделано Акшада Кулкарни

Национальный институт информационных технологий (НИИТ), Neemrana

Акшада Кулкарни создал этот калькулятор и еще 500+!

Проверено Команда Софтусвиста

Офис Софтусвиста (Пуна), Индия

Команда Софтусвиста проверил этот калькулятор и еще 1100+!

< Полупроводниковые характеристики Калькуляторы

Проводимость в полупроводниках

LaTeX Идти проводимость = (Электронная плотность*[Charge-e]*Подвижность электрона)+(Плотность отверстий*[Charge-e]*Подвижность отверстий)

Длина диффузии электронов

LaTeX Идти Электронная диффузионная длина = sqrt(Константа электронной диффузии*Миноритарный перевозчик Lifetime)

Уровень Ферми собственных полупроводников

LaTeX Идти Внутренний полупроводник на уровне Ферми = (Энергия зоны проводимости+Энергия полосы Валанса)/2

Подвижность носителей заряда

LaTeX Идти Мобильность носителей заряда = Скорость дрейфа/Напряженность электрического поля

Узнать больше >>

Проводимость внешних полупроводников для N-типа формула

LaTeX Идти

Проводимость внешних полупроводников (n-типа) = Концентрация доноров*[Charge-e]*Подвижность электрона
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n

Что такое внешние полупроводники?

Внешние полупроводники - это просто собственные полупроводники, которые были легированы примесными атомами (в данном случае одномерные дефекты замещения). Легирование - это процесс, при котором полупроводники увеличивают свою электрическую проводимость, вводя в свою решетку атомы различных элементов.

Что такое внешний полупроводник n-типа?

Полупроводник n-типа создается, когда чистые полупроводники, такие как Si и Ge, легированы пятивалентными элементами. когда полупроводник легирован пятивалентным атомом, электроны являются основными носителями заряда. С другой стороны, дырки являются неосновными носителями заряда. Поэтому такие примесные полупроводники называют полупроводниками n-типа. В полупроводнике n-типа Число свободных электронов >> Число дырок.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!