калькулятор НОД

Проводимость P-типа Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Интегральные схемы (ИС)EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Изготовление биполярных ИС Изготовление МОП-ИС Триггер Шмитта

✖Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.ⓘ Заряжать [q]			+10% -10%
✖Электронное легирование кремния. Подвижность характеризует, насколько быстро электрон может перемещаться через металл или полупроводник, когда его притягивает электрическое поле.ⓘ Электронно-легированная подвижность кремния [μ_n]			+10% -10%
✖Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.ⓘ Внутренняя концентрация [n_i]			+10% -10%
✖Равновесная концентрация электронов P-типа являются неосновными носителями, а дырки - основными носителями.ⓘ Равновесная концентрация P-типа [N_a]			+10% -10%
✖Подвижность кремния, легированного дырками, — это способность дырки перемещаться по металлу или полупроводнику в присутствии приложенного электрического поля.ⓘ Подвижность кремния, легированного дырками [μ_p]			+10% -10%

✖Омическая проводимость — это мера способности материала пропускать поток электрического тока. Электропроводность варьируется от одного материала к другому.ⓘ Проводимость P-типа [σ]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Проводимость P-типа

Формула

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

Пример

0.085666 mho/cm = 5 mC \cdot (0.38 cm²/V*s \cdot (\frac{{1.32 /cm³}^{2}}{7.1 /cm³}) + 2.4 cm²/V*s \cdot 7.1 /cm³)

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Интегральные схемы (ИС) формула PDF PDF Image

Проводимость P-типа Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация P-типа)+Подвижность кремния, легированного дырками*Равновесная концентрация P-типа)
σ = q*(μ_n*(n_i^2/N_a)+μ_p*N_a)
В этой формуле используются 6 Переменные

Используемые переменные

Омическая проводимость - (Измеряется в Сименс/ метр) - Омическая проводимость — это мера способности материала пропускать поток электрического тока. Электропроводность варьируется от одного материала к другому.
Заряжать - (Измеряется в Кулон) - Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.
Электронно-легированная подвижность кремния - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Электронное легирование кремния. Подвижность характеризует, насколько быстро электрон может перемещаться через металл или полупроводник, когда его притягивает электрическое поле.
Внутренняя концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
Равновесная концентрация P-типа - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Равновесная концентрация электронов P-типа являются неосновными носителями, а дырки - основными носителями.
Подвижность кремния, легированного дырками - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность кремния, легированного дырками, — это способность дырки перемещаться по металлу или полупроводнику в присутствии приложенного электрического поля.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Заряжать: 5 Милликулон --> 0.005 Кулон (Проверьте преобразование здесь)
Электронно-легированная подвижность кремния: 0.38 Квадратный сантиметр на вольт-секунду --> 3.8E-05 Квадратный метр на вольт в секунду (Проверьте преобразование здесь)
Внутренняя концентрация: 1.32 1 на кубический сантиметр --> 1320000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Равновесная концентрация P-типа: 7.1 1 на кубический сантиметр --> 7100000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Подвижность кремния, легированного дырками: 2.4 Квадратный сантиметр на вольт-секунду --> 0.00024 Квадратный метр на вольт в секунду (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

σ = q*(μ_n*(n_i^2/N_a)+μ_p*N_a) --> 0.005*(3.8E-05*(1320000^2/7100000)+0.00024*7100000)

Оценка ... ...

σ = 8.5666276056338

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

8.5666276056338 Сименс/ метр -->0.085666276056338 мо/ Сантиметр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.085666276056338 ≈ 0.085666 мо/ Сантиметр <-- Омическая проводимость

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Проводимость P-типа

Кредиты

Сделано Рахул Гупта

Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб

Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Ритвик Трипати

Веллорский технологический институт (ВИТ Веллор), Веллор

Ритвик Трипати проверил этот калькулятор и еще 100+!

< Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Проводимость N-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Омическая проводимость примесей

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Примеси с собственной концентрацией

Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Узнать больше >>