НОД трех чисел

Проводимость внешнего полупроводника для P-типа Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

Полупроводниковые характеристики Параметры работы транзистора Характеристики диода Характеристики носителя заряда Больше >>

✖Акцепторная концентрация — это концентрация дырок в акцепторном состоянии.ⓘ Концентрация акцептора [N_a]			+10% -10%
✖Подвижность дырок — это способность дырки двигаться сквозь металл или полупроводник в присутствии приложенного электрического поля.ⓘ Подвижность отверстий [μ_p]			+10% -10%

✖Проводимость внешних полупроводников (р-типа) является мерой легкости, с которой электрический заряд или тепло могут проходить через внешний полупроводниковый материал р-типа.ⓘ Проводимость внешнего полупроводника для P-типа [σ_p]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Полупроводниковые характеристики Формулы PDF PDF Image

Проводимость внешнего полупроводника для P-типа Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Проводимость внешних полупроводников (p-типа) = Концентрация акцептора*[Charge-e]*Подвижность отверстий
σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p
В этой формуле используются 1 Константы, 3 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые переменные

Проводимость внешних полупроводников (p-типа) - (Измеряется в Сименс/ метр) - Проводимость внешних полупроводников (р-типа) является мерой легкости, с которой электрический заряд или тепло могут проходить через внешний полупроводниковый материал р-типа.
Концентрация акцептора - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Акцепторная концентрация — это концентрация дырок в акцепторном состоянии.
Подвижность отверстий - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность дырок — это способность дырки двигаться сквозь металл или полупроводник в присутствии приложенного электрического поля.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Концентрация акцептора: 1E+16 1 на кубический метр --> 1E+16 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Подвижность отверстий: 150 Квадратный метр на вольт в секунду --> 150 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p --> 1E+16*[Charge-e]*150

Оценка ... ...

σ_p = 0.240326493

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.240326493 Сименс/ метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.240326493 ≈ 0.240326 Сименс/ метр <-- Проводимость внешних полупроводников (p-типа)

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » EDC » Полупроводниковые характеристики » Проводимость внешнего полупроводника для P-типа

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< Полупроводниковые характеристики Калькуляторы

Проводимость в полупроводниках

LaTeX Идти проводимость = (Электронная плотность*[Charge-e]*Подвижность электрона)+(Плотность отверстий*[Charge-e]*Подвижность отверстий)

Длина диффузии электронов

LaTeX Идти Электронная диффузионная длина = sqrt(Константа электронной диффузии*Миноритарный перевозчик Lifetime)

Уровень Ферми собственных полупроводников

LaTeX Идти Внутренний полупроводник на уровне Ферми = (Энергия зоны проводимости+Энергия полосы Валанса)/2

Подвижность носителей заряда

LaTeX Идти Мобильность носителей заряда = Скорость дрейфа/Напряженность электрического поля

Узнать больше >>

Проводимость внешнего полупроводника для P-типа формула

LaTeX Идти

Проводимость внешних полупроводников (p-типа) = Концентрация акцептора*[Charge-e]*Подвижность отверстий
σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p

Объясните проводимость в полупроводниках.

Полупроводники являются полухорошими электрическими проводниками, потому что, хотя их валентная зона полностью заполнена, энергетический зазор между валентной зоной и зоной проводимости не слишком велик. Следовательно, некоторые электроны могут соединить его, чтобы стать носителями заряда. Разница между полупроводниками и диэлектриком заключается в величине запрещенной зоны. Для полупроводников Eg <2 эВ и для изоляторов Eg> 2 эВ. Нам хорошо известно, что проводимость полупроводника зависит от концентрации в нем свободных электронов.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!