✖Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.ⓘ Ток насыщения [Isat] | | | +10% -10% |
✖Напряжение база-эмиттер — это прямое напряжение между базой и эмиттером транзистора.ⓘ Напряжение база-эмиттер [VBE] | | | +10% -10% |
✖Тепловое напряжение — это напряжение, возникающее внутри p-n-перехода.ⓘ Тепловое напряжение [Vt] | | | +10% -10% |
✖Ток насыщения для постоянного тока — это плотность тока утечки транзистора в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один транзистор от другого.ⓘ Ток насыщения для постоянного тока [ISC] | | | +10% -10% |
✖Напряжение база-коллектор — это электрический потенциал между базой и коллектором транзистора.ⓘ Напряжение база-коллектор [VBC] | | | +10% -10% |