калькулятор НОК

Коллекторный ток PNP-транзистора Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Интегральные схемы (ИС)EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Изготовление биполярных ИС Изготовление МОП-ИС Триггер Шмитта

✖Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.ⓘ Заряжать [q]			+10% -10%
✖Область эмиттерного базового перехода представляет собой PN-переход, образованный между сильно легированным материалом P-типа (эмиттер) и слаболегированным материалом N-типа (база) транзистора.ⓘ Зона базового соединения эмиттера [A]			+10% -10%
✖Равновесная концентрация N-типа равна плотности донорных атомов, поскольку электроны проводимости передаются исключительно донорным атомом.ⓘ Равновесная концентрация N-типа [N_d]			+10% -10%
✖Константа диффузии для PNP описывает, насколько легко эти неосновные носители диффундируют через полупроводниковый материал при приложении электрического поля.ⓘ Константа диффузии для PNP [D_p]			+10% -10%
✖Ширина базы — важный параметр, влияющий на характеристики транзистора, особенно с точки зрения его работы и быстродействия.ⓘ Базовая ширина [W_b]			+10% -10%

✖Коллекторный ток — это ток, который протекает через коллекторный вывод транзистора и который усиливается транзистором.ⓘ Коллекторный ток PNP-транзистора [I_c]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Интегральные схемы (ИС) формула PDF PDF Image

Коллекторный ток PNP-транзистора Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Коллекторный ток = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Равновесная концентрация N-типа*Константа диффузии для PNP)/Базовая ширина
I_c = (q*A*N_d*D_p)/W_b
В этой формуле используются 6 Переменные

Используемые переменные

Коллекторный ток - (Измеряется в Ампер) - Коллекторный ток — это ток, который протекает через коллекторный вывод транзистора и который усиливается транзистором.
Заряжать - (Измеряется в Кулон) - Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.
Зона базового соединения эмиттера - (Измеряется в Квадратный метр) - Область эмиттерного базового перехода представляет собой PN-переход, образованный между сильно легированным материалом P-типа (эмиттер) и слаболегированным материалом N-типа (база) транзистора.
Равновесная концентрация N-типа - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Равновесная концентрация N-типа равна плотности донорных атомов, поскольку электроны проводимости передаются исключительно донорным атомом.
Константа диффузии для PNP - (Измеряется в Квадратный метр в секунду) - Константа диффузии для PNP описывает, насколько легко эти неосновные носители диффундируют через полупроводниковый материал при приложении электрического поля.
Базовая ширина - (Измеряется в Метр) - Ширина базы — важный параметр, влияющий на характеристики транзистора, особенно с точки зрения его работы и быстродействия.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Заряжать: 5 Милликулон --> 0.005 Кулон (Проверьте преобразование здесь)
Зона базового соединения эмиттера: 1.75 Площадь Сантиметр --> 0.000175 Квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)
Равновесная концентрация N-типа: 45 1 на кубический сантиметр --> 45000000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Константа диффузии для PNP: 100 Квадратный сантиметр в секунду --> 0.01 Квадратный метр в секунду (Проверьте преобразование здесь)
Базовая ширина: 8 сантиметр --> 0.08 Метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_c = (q*A*N_d*D_p)/W_b --> (0.005*0.000175*45000000*0.01)/0.08

Оценка ... ...

I_c = 4.921875

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

4.921875 Ампер --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

4.921875 Ампер <-- Коллекторный ток

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Коллекторный ток PNP-транзистора

Кредиты

Сделано Рахул Гупта

Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб

Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Ритвик Трипати

Веллорский технологический институт (ВИТ Веллор), Веллор

Ритвик Трипати проверил этот калькулятор и еще 100+!

< Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Проводимость N-типа

LaTeX Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Омическая проводимость примесей

LaTeX Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Примеси с собственной концентрацией

LaTeX Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

LaTeX Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Узнать больше >>

Коллекторный ток PNP-транзистора формула

LaTeX Идти

Коллекторный ток = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Равновесная концентрация N-типа*Константа диффузии для PNP)/Базовая ширина
I_c = (q*A*N_d*D_p)/W_b

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!