✖Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.ⓘ Ток насыщения [Isat] | | | +10% -10% |
✖Напряжение база-эмиттер — это прямое напряжение между базой и эмиттером транзистора.ⓘ Напряжение база-эмиттер [VBE] | | | +10% -10% |
✖Тепловое напряжение — это напряжение, возникающее внутри p-n-перехода.ⓘ Тепловое напряжение [Vt] | | | +10% -10% |
✖Напряжение коллектор-эмиттер — это электрический потенциал между базой и коллектором транзистора.ⓘ Напряжение коллектор-эмиттер [VCE] | | | +10% -10% |
✖Напряжение питания — это источник входного напряжения, протекающего через биполярный транзистор.ⓘ Напряжение питания [VDD] | | | +10% -10% |