Используемая формула
Базовая емкость коллектора = Зона базового соединения эмиттера*sqrt((Заряжать*Диэлектрическая проницаемость*Плотность легирования)/(2*(Встроенный потенциал+Соединение обратного смещения)))Ccb = A*sqrt((q*ε*Nb)/(2*(ψo+Vrb)))В этой формуле используются
1 Функции,
7 Переменные Используемые функции
sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)
Используемые переменные
Базовая емкость коллектора -
(Измеряется в фарада) - Емкость базы коллектора — это просто емкость перехода коллектор-база, включая плоскую нижнюю часть перехода и боковые стенки.
Зона базового соединения эмиттера -
(Измеряется в Квадратный метр) - Область эмиттерного базового перехода представляет собой PN-переход, образованный между сильно легированным материалом P-типа (эмиттер) и слаболегированным материалом N-типа (база) транзистора.
Заряжать -
(Измеряется в Кулон) - Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.
Диэлектрическая проницаемость -
(Измеряется в Фарада на метр) - Диэлектрическая проницаемость — это физическое свойство, которое описывает, какое сопротивление материал оказывает образованию внутри него электрического поля.
Плотность легирования -
(Измеряется в Электронов на кубический метр) - Плотность легирования — это процесс, при котором определенные атомы примесей, такие как фосфор или бор, вводятся в полупроводник для изменения его электрических свойств.
Встроенный потенциал -
(Измеряется в вольт) - Встроенный потенциал влияет на размер области обеднения, что, в свою очередь, влияет на емкость перехода.
Соединение обратного смещения -
(Измеряется в Ампер) - Соединение обратного смещения относится к состоянию полупроводникового устройства, при котором напряжение, приложенное к переходу, противодействует нормальному протеканию тока через устройство.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок