Температура оказывает существенное влияние на обратный ток насыщения и напряжение барьера в тонкопленочных транзисторах. Увеличение температуры обычно приводит к увеличению обратного тока насыщения и уменьшению барьерного напряжения. Это связано с тем, что более высокие температуры приводят к увеличению кинетической энергии газа, что может облегчить инжекцию носителей заряда в обедненную область транзистора.