калькулятор НОД

Сопротивление канала Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Интегральные схемы (ИС)EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Изготовление МОП-ИС Изготовление биполярных ИС Триггер Шмитта

✖Длина транзистора относится к длине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.ⓘ Длина транзистора [L_t]			+10% -10%
✖Ширина транзистора относится к ширине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.ⓘ Ширина транзистора [W_t]			+10% -10%
✖Подвижность электронов описывает, насколько быстро электроны могут перемещаться через материал в ответ на электрическое поле.ⓘ Электронная подвижность [μ_n]			+10% -10%
✖Плотность носителей относится к количеству носителей заряда (электронов или дырок), присутствующих в полупроводниковом канале.ⓘ Плотность носителей [Q_on]			+10% -10%

✖Сопротивление канала относится к сопротивлению, оказываемому полупроводниковым материалом в канале, через который протекает ток между клеммами истока и стока.ⓘ Сопротивление канала [R_ch]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Сопротивление канала Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Сопротивление канала - (Измеряется в ом) - Сопротивление канала относится к сопротивлению, оказываемому полупроводниковым материалом в канале, через который протекает ток между клеммами истока и стока.
Длина транзистора - (Измеряется в Метр) - Длина транзистора относится к длине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.
Ширина транзистора - (Измеряется в Метр) - Ширина транзистора относится к ширине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.
Электронная подвижность - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электронов описывает, насколько быстро электроны могут перемещаться через материал в ответ на электрическое поле.
Плотность носителей - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Плотность носителей относится к количеству носителей заряда (электронов или дырок), присутствующих в полупроводниковом канале.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Длина транзистора: 3.2 микрометр --> 3.2E-06 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Ширина транзистора: 5.5 микрометр --> 5.5E-06 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Электронная подвижность: 30 Квадратный метр на вольт в секунду --> 30 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Плотность носителей: 0.0056 Электронов на кубический метр --> 0.0056 Электронов на кубический метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on) --> 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056)

Оценка ... ...

R_ch = 3.46320346320346

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

3.46320346320346 ом --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

3.46320346320346 ≈ 3.463203 ом <-- Сопротивление канала

(Расчет завершен через 00.614 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Сопротивление канала

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Эффект тела в MOSFET

LaTeX Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Ток стока MOSFET в области насыщения

LaTeX Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Сопротивление канала

LaTeX Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

LaTeX Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Узнать больше >>