калькулятор НОК

Емкость ячейки Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Проектирование и применение КМОП EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Подсистема путей передачи данных массива Временные характеристики КМОП КМОП-инверторы Подсистема специального назначения КМОП Больше >>

✖Битовая емкость — это емкость одного бита в cmos vlsi.ⓘ Битовая емкость [C_bit]			+10% -10%
✖Качание напряжения на битовой линии определяется как полнофункциональная локальная архитектура SRAM с битовой линией, основанная на 22-нм технологии FinFET для работы при низком напряжении.ⓘ Перепад напряжения на битовой линии [ΔV]			+10% -10%
✖Положительное напряжение определяется как напряжение, рассчитанное при подключении цепи к источнику питания. Его обычно называют Vdd или источником питания цепи.ⓘ Положительное напряжение [V_dd]			+10% -10%

✖Емкость ячейки — это емкость отдельной ячейки.ⓘ Емкость ячейки [C_cell]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Подсистема путей передачи данных массива Формулы PDF PDF Image

Емкость ячейки Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Емкость ячейки = (Битовая емкость*2*Перепад напряжения на битовой линии)/(Положительное напряжение-(Перепад напряжения на битовой линии*2))
C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2))
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Емкость ячейки - (Измеряется в фарада) - Емкость ячейки — это емкость отдельной ячейки.
Битовая емкость - (Измеряется в фарада) - Битовая емкость — это емкость одного бита в cmos vlsi.
Перепад напряжения на битовой линии - (Измеряется в вольт) - Качание напряжения на битовой линии определяется как полнофункциональная локальная архитектура SRAM с битовой линией, основанная на 22-нм технологии FinFET для работы при низком напряжении.
Положительное напряжение - (Измеряется в вольт) - Положительное напряжение определяется как напряжение, рассчитанное при подключении цепи к источнику питания. Его обычно называют Vdd или источником питания цепи.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Битовая емкость: 12.38 пикофарада --> 1.238E-11 фарада (Проверьте преобразование здесь)
Перепад напряжения на битовой линии: 0.42 вольт --> 0.42 вольт Конверсия не требуется
Положительное напряжение: 2.58 вольт --> 2.58 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2)) --> (1.238E-11*2*0.42)/(2.58-(0.42*2))

Оценка ... ...

C_cell = 5.97655172413793E-12

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

5.97655172413793E-12 фарада -->5.97655172413793 пикофарада (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

5.97655172413793 ≈ 5.976552 пикофарада <-- Емкость ячейки

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Проектирование и применение КМОП » Подсистема путей передачи данных массива » Емкость ячейки

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< Подсистема путей передачи данных массива Калькуляторы

Задержка «исключающее ИЛИ»

LaTeX Идти Задержка исключающего ИЛИ = Время пульсации-(Задержка распространения+(Гейтс на критическом пути-1)*Задержка логического элемента И-ИЛИ)

Сумматор Carry-Ripple Adder, задержка критического пути

LaTeX Идти Время пульсации = Задержка распространения+(Гейтс на критическом пути-1)*Задержка логического элемента И-ИЛИ+Задержка исключающего ИЛИ

Емкость заземления

LaTeX Идти Емкость заземления = ((Агрессорное напряжение*Соседняя емкость)/Жертва напряжения)-Соседняя емкость

N-битный сумматор с пропуском переноса

LaTeX Идти N-битный сумматор с переносом и пропуском = N-вход И ворота*K-вход И ворота

Узнать больше >>

Емкость ячейки формула

LaTeX Идти

Как разные емкости различаются в динамической ОЗУ или DRAM?

Конденсатор DRAM Ccell должен быть как можно меньше физически для достижения хорошей плотности. Однако битовая линия контактирует со многими ячейками DRAM и имеет относительно большую емкость Cbit. Следовательно, емкость ячейки обычно намного меньше емкости битовой линии. большая емкость ячейки важна для обеспечения разумного колебания напряжения. Также необходимо сохранять содержимое ячейки в течение приемлемо долгого времени и минимизировать программные ошибки.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!