Используемая формула
Плотность заряда области массового истощения = -(1-((Боковая протяженность области истощения с источником+Боковая протяженность области истощения с дренажом)/(2*Длина канала)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Концентрация акцептора*abs(2*Поверхностный потенциал))QB0 = -(1-((ΔLs+ΔLD)/(2*L)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*NA*abs(2*Φs))В этой формуле используются
3 Константы,
2 Функции,
6 Переменные Используемые константы
[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Permitivity-vacuum] - Диэлектрическая проницаемость вакуума Значение, принятое как 8.85E-12
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые функции
sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)
abs - Абсолютное значение числа — это его расстояние от нуля на числовой прямой. Это всегда положительное значение, поскольку оно представляет величину числа без учета его направления., abs(Number)
Используемые переменные
Плотность заряда области массового истощения -
(Измеряется в Кулон на квадратный метр) - Объемная плотность заряда области обеднения определяется как электрический заряд на единицу площади, связанной с областью обеднения в объеме полупроводникового устройства.
Боковая протяженность области истощения с источником -
(Измеряется в Метр) - Боковая протяженность области истощения с источником — горизонтальное расстояние, на котором область истощения простирается вбок от вывода источника в полупроводниковом устройстве.
Боковая протяженность области истощения с дренажом -
(Измеряется в Метр) - Боковая протяженность области истощения со стоком — горизонтальное расстояние, на котором область истощения простирается вбок от вывода стока в полупроводниковом устройстве.
Длина канала -
(Измеряется в Метр) - Длина канала относится к физической длине полупроводникового материала между клеммами истока и стока внутри транзисторной структуры.
Концентрация акцептора -
(Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.
Поверхностный потенциал -
(Измеряется в вольт) - Поверхностный потенциал является ключевым параметром при оценке свойств тонкопленочных транзисторов по постоянному току.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок