Встроенный потенциал Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Встроенный потенциал = Тепловое напряжение*ln((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Собственная концентрация электронов^2))
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2))
В этой формуле используются 1 Функции, 5 Переменные
Используемые функции
ln - Натуральный логарифм, также известный как логарифм по основанию е, является обратной функцией натуральной показательной функции., ln(Number)
Используемые переменные
Встроенный потенциал - (Измеряется в вольт) - Встроенный потенциал — это потенциал внутри MOSFET.
Тепловое напряжение - (Измеряется в вольт) - Тепловое напряжение — это напряжение, создаваемое внутри pn-перехода.
Концентрация акцептора - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация акцепторов — это концентрация дырок в акцепторном состоянии.
Концентрация доноров - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Донорная концентрация — это концентрация электронов в донорном состоянии.
Собственная концентрация электронов - Собственная концентрация электронов определяется как количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Тепловое напряжение: 0.55 вольт --> 0.55 вольт Конверсия не требуется
Концентрация акцептора: 1100 1 на кубический метр --> 1100 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Концентрация доноров: 190000000000000 1 на кубический метр --> 190000000000000 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Собственная концентрация электронов: 17 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2)) --> 0.55*ln((1100*190000000000000)/(17^2))
Оценка ... ...
ψo = 18.8180761773197
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
18.8180761773197 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
18.8180761773197 18.81808 вольт <-- Встроенный потенциал
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

Характеристики конструкции КМОП Калькуляторы

Встроенный потенциал
​ LaTeX ​ Идти Встроенный потенциал = Тепловое напряжение*ln((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Собственная концентрация электронов^2))
Статический ток
​ LaTeX ​ Идти Статический ток = Статическая мощность/Базовое напряжение коллектора
Изменение тактовой частоты
​ LaTeX ​ Идти Изменение частоты часов = Усиление ГУН*Управляющее напряжение ГУН
Емкость на пути
​ LaTeX ​ Идти Емкость на пути = Общая емкость в каскаде-Емкость

Встроенный потенциал формула

​LaTeX ​Идти
Встроенный потенциал = Тепловое напряжение*ln((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Собственная концентрация электронов^2))
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2))

На каком принципе работает модель диффузионной емкости МОП?

МОП-транзистор можно рассматривать как четырехполюсник с емкостями между каждой парой выводов. Емкость затвора включает внутреннюю составляющую (корпусу, истоку и стоку или только истоку, в зависимости от режима работы) и перекрывающиеся составляющие с истоком и стоком. Исток и сток имеют паразитную диффузионную емкость по отношению к телу.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!