Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
процент увеличения
Cмешанная дробь
калькулятор НОД
Заложенный потенциал в регионе истощения Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
Больше >>
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Больше >>
⤿
Аналоговая электроника
EDC
Аналоговая связь
Антенна и распространение волн
Больше >>
⤿
МОП-транзистор
БЮТ
⤿
МОП-транзистор
Анализ малых сигналов
Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель
Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)
Больше >>
✖
Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
ⓘ
Легирующая концентрация акцептора [N
A
]
Электронов на кубический сантиметр
Электронов на кубический метр
+10%
-10%
✖
Объемный потенциал Ферми — это параметр, который описывает электростатический потенциал в объеме (внутри) полупроводникового материала.
ⓘ
Объемный потенциал Ферми [Φ
f
]
киловольт
Мегавольт
микровольт
милливольт
Нановольт
Планка напряжения
вольт
+10%
-10%
✖
Встроенное напряжение — это характеристическое напряжение, существующее на полупроводниковом устройстве.
ⓘ
Заложенный потенциал в регионе истощения [Φ
B0
]
киловольт
Мегавольт
микровольт
милливольт
Нановольт
Планка напряжения
вольт
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
✖
Заложенный потенциал в регионе истощения
Формула
Φ
B0
=
-
(
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
N
A
⋅
mod
u
̲
s
(
-
2
⋅
Φ
f
)
)
Пример
-1.6E-6 V
=
-
(
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
1.32 electrons/cm³
⋅
mod
u
̲
s
(
-
2
⋅
0.25 V
)
)
Калькулятор
LaTeX
сбросить
👍
Скачать МОП-транзистор формула PDF
Заложенный потенциал в регионе истощения Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Встроенное напряжение
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Легирующая концентрация акцептора
*
modulus
(-2*
Объемный потенциал Ферми
)))
Φ
B0
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
*
modulus
(-2*
Φ
f
)))
В этой формуле используются
2
Константы
,
2
Функции
,
3
Переменные
Используемые константы
[Permitivity-silicon]
- Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Charge-e]
- Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые функции
sqrt
- Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)
modulus
- Модуль числа — это остаток от деления этого числа на другое число., modulus
Используемые переменные
Встроенное напряжение
-
(Измеряется в вольт)
- Встроенное напряжение — это характеристическое напряжение, существующее на полупроводниковом устройстве.
Легирующая концентрация акцептора
-
(Измеряется в Электронов на кубический метр)
- Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
Объемный потенциал Ферми
-
(Измеряется в вольт)
- Объемный потенциал Ферми — это параметр, который описывает электростатический потенциал в объеме (внутри) полупроводникового материала.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Легирующая концентрация акцептора:
1.32 Электронов на кубический сантиметр --> 1320000 Электронов на кубический метр
(Проверьте преобразование
здесь
)
Объемный потенциал Ферми:
0.25 вольт --> 0.25 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Φ
B0
= -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N
A
*modulus(-2*Φ
f
))) -->
-(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*1320000*
modulus
(-2*0.25)))
Оценка ... ...
Φ
B0
= -1.57302306783086E-06
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
-1.57302306783086E-06 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
-1.57302306783086E-06
≈
-1.6E-6 вольт
<--
Встроенное напряжение
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
МОП-транзистор
»
Аналоговая электроника
»
МОП-транзистор
»
Заложенный потенциал в регионе истощения
Кредиты
Сделано
банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар
(ДСКЭ)
,
Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Проверено
Дипанхона Маллик
Технологический институт наследия
(ХИТК)
,
Калькутта
Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
МОП-транзистор Калькуляторы
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Идти
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
= -(2*
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
)/(
Конечное напряжение
-
Начальное напряжение
)*(
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
-
Конечное напряжение
)-
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
-
Начальное напряжение
)))
Потенциал Ферми для типа P
Идти
Потенциал Ферми для типа P
= (
[BoltZ]
*
Абсолютная температура
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Собственная концентрация носителей
/
Легирующая концентрация акцептора
)
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
Идти
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
=
Периметр боковой стенки
*
Емкость бокового перехода
*
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины
Идти
Емкость бокового перехода
=
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением
*
Глубина боковины
Узнать больше >>
Заложенный потенциал в регионе истощения формула
Встроенное напряжение
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Легирующая концентрация акцептора
*
modulus
(-2*
Объемный потенциал Ферми
)))
Φ
B0
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
*
modulus
(-2*
Φ
f
)))
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!