калькулятор НОД

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Интегральные схемы (ИС)EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Изготовление биполярных ИС Изготовление МОП-ИС Триггер Шмитта

✖Напряжение пробоя базы коллектора — это максимальное напряжение между выводами коллектора и базы биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора.ⓘ Напряжение пробоя базы коллектора [V_cb]			+10% -10%
✖Коэффициент усиления по току BJT используется для описания свойств усиления транзистора. Он показывает, насколько ток коллектора усиливается по отношению к току базы.ⓘ Текущий прирост BJT [i_g]			+10% -10%
✖Корневое число представляет собой константу или коэффициент, связанный с транзистором.ⓘ Корневой номер [n]			+10% -10%

✖Напряжение пробоя коллектор-эмиттер — это напряжение между выводами коллектора и эмиттера биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора.ⓘ Напряжение пробоя коллектора-эмиттера [V_ce]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Формула

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

Пример

2.103602 V = \frac{3.52 V}{{(2.8 V)}^{\frac{1}{2}}}

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Интегральные схемы (ИС) формула PDF PDF Image

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер - (Измеряется в вольт) - Напряжение пробоя коллектор-эмиттер — это напряжение между выводами коллектора и эмиттера биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора.
Напряжение пробоя базы коллектора - (Измеряется в вольт) - Напряжение пробоя базы коллектора — это максимальное напряжение между выводами коллектора и базы биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора.
Текущий прирост BJT - (Измеряется в вольт) - Коэффициент усиления по току BJT используется для описания свойств усиления транзистора. Он показывает, насколько ток коллектора усиливается по отношению к току базы.
Корневой номер - Корневое число представляет собой константу или коэффициент, связанный с транзистором.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Напряжение пробоя базы коллектора: 3.52 вольт --> 3.52 вольт Конверсия не требуется
Текущий прирост BJT: 2.8 вольт --> 2.8 вольт Конверсия не требуется
Корневой номер: 2 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)

Оценка ... ...

V_ce = 2.10360235242853

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

2.10360235242853 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

2.10360235242853 ≈ 2.103602 вольт <-- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Кредиты

Сделано Рахул Гупта

Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб

Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Проводимость N-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Омическая проводимость примесей

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Примеси с собственной концентрацией

Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Узнать больше >>