НОК двух чисел

Эффект тела в MOSFET Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Интегральные схемы (ИС)EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Изготовление МОП-ИС Изготовление биполярных ИС Триггер Шмитта

✖Пороговое напряжение с нулевым смещением тела относится к пороговому напряжению, когда к полупроводниковой подложке (клемме корпуса) не применяется внешнее смещение.ⓘ Пороговое напряжение с нулевым смещением тела [V_th]			+10% -10%
✖Параметр Body Effect – параметр, характеризующий чувствительность порогового напряжения MOSFET.ⓘ Параметр эффекта тела [γ]			+10% -10%
✖Объемный потенциал Ферми — это параметр, который описывает электростатический потенциал в объеме (внутри) полупроводникового материала.ⓘ Объемный потенциал Ферми [Φ_f]			+10% -10%
✖Напряжение, приложенное к кузову, — это напряжение, приложенное к клемме кузова. Это напряжение может оказать существенное влияние на поведение и производительность MOSFET.ⓘ Напряжение, приложенное к телу [V_bs]			+10% -10%

✖Пороговое напряжение на подложке — это важнейший параметр, определяющий точку, в которой транзистор начинает проводить ток от истока к стоку.ⓘ Эффект тела в MOSFET [V_t]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Эффект тела в MOSFET Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))
V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f))
В этой формуле используются 1 Функции, 5 Переменные

Используемые функции

sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Пороговое напряжение с подложкой - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение на подложке — это важнейший параметр, определяющий точку, в которой транзистор начинает проводить ток от истока к стоку.
Пороговое напряжение с нулевым смещением тела - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение с нулевым смещением тела относится к пороговому напряжению, когда к полупроводниковой подложке (клемме корпуса) не применяется внешнее смещение.
Параметр эффекта тела - Параметр Body Effect – параметр, характеризующий чувствительность порогового напряжения MOSFET.
Объемный потенциал Ферми - (Измеряется в вольт) - Объемный потенциал Ферми — это параметр, который описывает электростатический потенциал в объеме (внутри) полупроводникового материала.
Напряжение, приложенное к телу - (Измеряется в вольт) - Напряжение, приложенное к кузову, — это напряжение, приложенное к клемме кузова. Это напряжение может оказать существенное влияние на поведение и производительность MOSFET.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Пороговое напряжение с нулевым смещением тела: 3.4 вольт --> 3.4 вольт Конверсия не требуется
Параметр эффекта тела: 0.56 --> Конверсия не требуется
Объемный потенциал Ферми: 0.25 вольт --> 0.25 вольт Конверсия не требуется
Напряжение, приложенное к телу: 2.43 вольт --> 2.43 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f)) --> 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25))

Оценка ... ...

V_t = 3.96258579757846

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

3.96258579757846 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

3.96258579757846 ≈ 3.962586 вольт <-- Пороговое напряжение с подложкой

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Эффект тела в MOSFET

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Эффект тела в MOSFET

LaTeX Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Ток стока MOSFET в области насыщения

LaTeX Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Сопротивление канала

LaTeX Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

LaTeX Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Узнать больше >>