✖Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.ⓘ Ток насыщения [Isat] | | | +10% -10% |
✖Коэффициент усиления по току с общим эмиттером зависит от двух факторов: ширины базовой области W и относительного легирования базовой и эмиттерной областей. Его диапазон варьируется от 50 до 200.ⓘ Коэффициент усиления по току с общим эмиттером [β] | | | +10% -10% |
✖Напряжение база-коллектор — это электрический потенциал между базой и коллектором транзистора.ⓘ Напряжение база-коллектор [VBC] | | | +10% -10% |
✖Тепловое напряжение — это напряжение, возникающее внутри p-n-перехода.ⓘ Тепловое напряжение [Vt] | | | +10% -10% |
✖Давление насыщенного пара у поверхности воды (мм ртутного столба) определяется как давление, оказываемое паром, находящимся в термодинамическом равновесии с его конденсированными фазами при данной температуре.ⓘ Давление пара насыщения [es] | | | +10% -10% |