НОД трех чисел

Параметр Backgate Effect в PMOS Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

Улучшение P-канала Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Концентрация доноров относится к физике полупроводников и относится к количеству атомов донорных примесей в единице объема полупроводникового материала.ⓘ Концентрация доноров [N_d]			+10% -10%
✖Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.ⓘ Оксид Емкость [C_ox]			+10% -10%

✖Параметр обратного эффекта относится к явлению, которое происходит в полевых транзисторах, которые представляют собой электронные устройства, используемые для усиления, переключения и других целей.ⓘ Параметр Backgate Effect в PMOS [γ_p]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Параметр Backgate Effect в PMOS Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Параметр эффекта Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Концентрация доноров)/Оксид Емкость
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox
В этой формуле используются 2 Константы, 1 Функции, 3 Переменные

Используемые константы

[Permitivity-vacuum] - Диэлектрическая проницаемость вакуума Значение, принятое как 8.85E-12
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые функции

sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Параметр эффекта Backgate - Параметр обратного эффекта относится к явлению, которое происходит в полевых транзисторах, которые представляют собой электронные устройства, используемые для усиления, переключения и других целей.
Концентрация доноров - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация доноров относится к физике полупроводников и относится к количеству атомов донорных примесей в единице объема полупроводникового материала.
Оксид Емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Концентрация доноров: 1.9E+20 1 на кубический метр --> 1.9E+20 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Оксид Емкость: 0.0008 фарада --> 0.0008 фарада Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox --> sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008

Оценка ... ...

γ_p = 0.0290154053183929

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0290154053183929 --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.0290154053183929 ≈ 0.029015 <-- Параметр эффекта Backgate

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Улучшение P-канала » Параметр Backgate Effect в PMOS

Кредиты

Сделано Аман Дуссават

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ГУРУ ТЕХ БАХАДУР (ГТБИТ), НЬЮ-ДЕЛИ

Аман Дуссават создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< Улучшение P-канала Калькуляторы

Ток стока в области триода PMOS-транзистора

LaTeX Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*((Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))*Напряжение между стоком и истоком-1/2*(Напряжение между стоком и истоком)^2)

Ток стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd

LaTeX Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(modulus(Эффективное напряжение)-1/2*Напряжение между стоком и истоком)*Напряжение между стоком и истоком

Ток стока в области насыщения транзистора PMOS

LaTeX Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2

Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

LaTeX Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение)^2

Узнать больше >>

Параметр Backgate Effect в PMOS формула

LaTeX Идти

Параметр эффекта Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Концентрация доноров)/Оксид Емкость
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!