Концентрация акцепторной примеси Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика физика финансовый Химия

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Технология производства Химическая инженерия Электрические Электроника и приборы

⤿

Интегральные схемы (ИС)EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Антенна и распространение волн Беспроводная связь Волоконно-оптическая передача Встроенная система Изготовление СБИС Конструкция оптического волокна Линия передачи и антенна Оптоэлектронные устройства Проектирование и применение КМОП Радиолокационная система РФ Микроэлектроника Сигнал и системы Силовая электроника Система контроля Системы коммутации телекоммуникаций Спутниковая связь Твердотельные устройства Телевизионная инженерия Теория информации и кодирование Теория СВЧ Теория электромагнитного поля Усилители Цифровая обработка изображений Цифровая связь

⤿

Изготовление МОП-ИС Изготовление биполярных ИС Триггер Шмитта

✖Длина транзистора относится к длине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.ⓘ Длина транзистора [L_t]			+10% -10%
✖Ширина транзистора относится к ширине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.ⓘ Ширина транзистора [W_t]			+10% -10%
✖Подвижность дырок представляет собой способность этих носителей заряда перемещаться в ответ на электрическое поле.ⓘ Мобильность отверстий [μ_p]			+10% -10%
✖Емкость истощенного слоя на единицу площади — это емкость истощенного слоя на единицу площади.ⓘ Емкость слоя обеднения [C_dep]			+10% -10%

✖Концентрация акцепторной примеси — это подвижность носителей заряда (в данном случае дырок) и размеры полупроводникового устройства.ⓘ Концентрация акцепторной примеси [N_a]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Концентрация акцепторной примеси

Формула

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

Пример

1E+32 electrons/m³ = \frac{1}{2 \cdot π \cdot 3.2 μm \cdot 5.5 μm \cdot [Charge-e] \cdot 400 m²/V*s \cdot 1.4 μF}

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Концентрация акцепторной примеси Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Концентрация акцепторной примеси = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения)
N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep)
В этой формуле используются 2 Константы, 5 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
pi - постоянная Архимеда Значение, принятое как 3.14159265358979323846264338327950288

Используемые переменные

Концентрация акцепторной примеси - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Концентрация акцепторной примеси — это подвижность носителей заряда (в данном случае дырок) и размеры полупроводникового устройства.
Длина транзистора - (Измеряется в Метр) - Длина транзистора относится к длине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.
Ширина транзистора - (Измеряется в Метр) - Ширина транзистора относится к ширине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.
Мобильность отверстий - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность дырок представляет собой способность этих носителей заряда перемещаться в ответ на электрическое поле.
Емкость слоя обеднения - (Измеряется в фарада) - Емкость истощенного слоя на единицу площади — это емкость истощенного слоя на единицу площади.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Длина транзистора: 3.2 микрометр --> 3.2E-06 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Ширина транзистора: 5.5 микрометр --> 5.5E-06 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Мобильность отверстий: 400 Квадратный метр на вольт в секунду --> 400 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Емкость слоя обеднения: 1.4 Микрофарад --> 1.4E-06 фарада (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep) --> 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06)

Оценка ... ...

N_a = 1.00788050957133E+32

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.00788050957133E+32 Электронов на кубический метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.00788050957133E+32 ≈ 1E+32 Электронов на кубический метр <-- Концентрация акцепторной примеси

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Концентрация акцепторной примеси

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 5 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Эффект тела в MOSFET

Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Ток стока MOSFET в области насыщения

Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Время распространения

Идти Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки

Сопротивление канала

Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)