Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero Calculadora

Potencial de junção da parede lateral com polarização zero = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais*Concentração de Doping do Doador)/(Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais+Concentração de Doping do Doador))*1/Potencial integrado de junções de paredes laterais)
C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funções, 4 Variáveis
[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)Potencial de junção da parede lateral com polarização zero - (Medido em Farad) - O potencial de junção da parede lateral de polarização zero é o potencial embutido na junção da parede lateral de certas estruturas de transistor.
Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A densidade de dopagem da parede lateral refere-se à concentração de átomos dopantes ao longo das paredes laterais da estrutura do transistor.
Concentração de Doping do Doador - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do doador refere-se à concentração de átomos doadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Potencial integrado de junções de paredes laterais - (Medido em Volt) - Potencial integrado de junções de parede lateral refere-se à junção formada ao longo das superfícies verticais ou da parede lateral da estrutura do transistor.

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)