✖A permissividade do silício é uma propriedade do material que descreve como um material responde a um campo elétrico.ⓘ Permissividade do Silício [εsi] | | | +10% -10% |
✖A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.ⓘ Concentração de Dopagem do Aceitante [NA] | | | +10% -10% |
✖A concentração de dopagem do doador refere-se à concentração de átomos doadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.ⓘ Concentração de Doping do Doador [ND] | | | +10% -10% |
✖Potencial de junção integrado refere-se à diferença de potencial ou tensão que existe em uma junção semicondutora quando ela não está conectada a uma fonte de tensão externa.ⓘ Potencial de junção integrado [Φo] | | | +10% -10% |