Porta NAND de tensão XOR Calculadora

✖A capacitância 2 é expressa como a razão entre a carga elétrica de cada condutor e a diferença de potencial (isto é, tensão) entre eles.ⓘ Capacitância 2 [C_y]			+10% -10%
✖A tensão do coletor base é um parâmetro crucial na polarização do transistor. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais base e coletor do transistor quando ele está em seu estado ativo.ⓘ Tensão do Coletor Base [V_bc]			+10% -10%
✖A capacitância 1 é expressa como a razão entre a carga elétrica de cada condutor e a diferença de potencial (isto é, tensão) entre eles.ⓘ Capacitância 1 [C_x]			+10% -10%

✖Tensão XOR Nand Gate é a tensão na direção x na porta NAND.ⓘ Porta NAND de tensão XOR [V_x]

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Porta NAND de tensão XOR Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão XOR Nand Gate = (Capacitância 2*Tensão do Coletor Base)/(Capacitância 1+Capacitância 2)
V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Tensão XOR Nand Gate - (Medido em Volt) - Tensão XOR Nand Gate é a tensão na direção x na porta NAND.
Capacitância 2 - (Medido em Farad) - A capacitância 2 é expressa como a razão entre a carga elétrica de cada condutor e a diferença de potencial (isto é, tensão) entre eles.
Tensão do Coletor Base - (Medido em Volt) - A tensão do coletor base é um parâmetro crucial na polarização do transistor. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais base e coletor do transistor quando ele está em seu estado ativo.
Capacitância 1 - (Medido em Farad) - A capacitância 1 é expressa como a razão entre a carga elétrica de cada condutor e a diferença de potencial (isto é, tensão) entre eles.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância 2: 3.1 Milifarad --> 0.0031 Farad (Verifique a conversão aqui)
Tensão do Coletor Base: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Nenhuma conversão necessária
Capacitância 1: 4 Milifarad --> 0.004 Farad (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y) --> (0.0031*2.02)/(0.004+0.0031)

Avaliando ... ...

V_x = 0.881971830985915

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.881971830985915 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.881971830985915 ≈ 0.881972 Volt <-- Tensão XOR Nand Gate

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

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Tempo de abertura para entrada descendente

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Tempo de configuração na lógica baixa

LaTeX Vai Tempo de configuração em baixa lógica = Tempo de abertura para entrada descendente-Tempo de espera em High Logic

Tempo de abertura para entrada crescente

LaTeX Vai Tempo de abertura para entrada crescente = Tempo de configuração em High Logic+Tempo de espera em baixa lógica

Tempo de Configuração em Alta Lógica

LaTeX Vai Tempo de configuração em High Logic = Tempo de abertura para entrada crescente-Tempo de espera em baixa lógica

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Porta NAND de tensão XOR Fórmula

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Tensão XOR Nand Gate = (Capacitância 2*Tensão do Coletor Base)/(Capacitância 1+Capacitância 2)
V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y)

Explique as consequências do compartilhamento de carga.

Portões dinâmicos estão sujeitos a problemas com o compartilhamento de carga. O compartilhamento de carga é mais sério quando a saída está levemente carregada e a capacitância interna é grande. Por exemplo, portas NAND dinâmicas de 4 entradas e portas AOI complexas podem compartilhar carga entre vários nós. Se o ruído de compartilhamento de carga for pequeno, o guardião eventualmente restaurará a saída dinâmica para VDD. No entanto, se o ruído de compartilhamento de carga for grande, a saída pode virar e desligar o retentor, levando a resultados incorretos.

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