Função de trabalho no MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Função no trabalho = Nível de vácuo+(Nível de energia da banda de condução-Nível Fermi)
S = +(Ec-EF)
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Função no trabalho - (Medido em Volt) - Função Trabalho é a energia necessária para um elétron se mover do nível de Fermi para o espaço livre.
Nível de vácuo - (Medido em Joule) - O Nível de Vácuo é um nível de energia teórico que fornece uma base para a compreensão dos níveis de energia nas regiões semicondutoras e metálicas do MOSFET.
Nível de energia da banda de condução - (Medido em Joule) - O nível de energia da banda de condução é uma banda de energia dentro do material semicondutor onde os elétrons podem se mover livremente e contribuir para a condução elétrica.
Nível Fermi - (Medido em Joule) - O nível de Fermi representa o nível de energia no qual os elétrons têm 50% de probabilidade de serem ocupados na temperatura zero absoluto.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Nível de vácuo: 5.1 Electron-Volt --> 8.17110438300004E-19 Joule (Verifique a conversão ​aqui)
Nível de energia da banda de condução: 3.01 Electron-Volt --> 4.82255376330002E-19 Joule (Verifique a conversão ​aqui)
Nível Fermi: 5.24 Electron-Volt --> 8.39540920920004E-19 Joule (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
S = qχ+(Ec-EF) --> 8.17110438300004E-19+(4.82255376330002E-19-8.39540920920004E-19)
Avaliando ... ...
S = 4.59824893710002E-19
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
4.59824893710002E-19 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
4.59824893710002E-19 4.6E-19 Volt <-- Função no trabalho
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Transistor MOS Calculadoras

Fator de equivalência de tensão na parede lateral
​ LaTeX ​ Vai Fator de equivalência de tensão na parede lateral = -(2*sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais)/(Tensão Final-Tensão Inicial)*(sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Final)-sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Inicial)))
Potencial de Fermi para tipo P
​ LaTeX ​ Vai Potencial de Fermi para tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração Intrínseca de Portadores/Concentração de Dopagem do Aceitante)
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
​ LaTeX ​ Vai Capacitância equivalente de junção de sinal grande = Perímetro da parede lateral*Capacitância de Junção Lateral*Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento
​ LaTeX ​ Vai Capacitância de Junção Lateral = Potencial de junção da parede lateral com polarização zero*Profundidade da parede lateral

Função de trabalho no MOSFET Fórmula

​LaTeX ​Vai
Função no trabalho = Nível de vácuo+(Nível de energia da banda de condução-Nível Fermi)
S = +(Ec-EF)
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